Prática Sobre Transistores em Comutação

Por: Player 1639 • 5/10/2023 • Ensaio • 595 Palavras (3 Páginas) • 29 Visualizações

Página 1 de 3

INTRODUÇÃO

Nesta prática o tema proposto foi a respeito dos transistores em comutação para a prática no laboratório, observamos o comportamento de um transistor bipolar (2N2222A) e um MOSFET (CD4007) nas condições estatística e dinâmica.

OBJETIVO

Avaliar a qualidade da saturação quando aplicamos nos terminais de controle (B-E e G-S) correntes ou tensões capazes de levar os transistores a condição de saturação.

Avaliar os fatores que interferem o valor da velocidade da comutação dos transistores bipolares e MOSFET

MATERIAIS UTILIZADOS

Protoboard

Multímetro

Fonte de tensão

Resistores

Capacitor

Diodo

Transistores

PROCEDIMENTOS

Montagem do circuito da saturação estática e saturação dinâmica, posteriormente analisar os resultados obtidos

RESULTADOS

Saturação estatística

RC/RD

98.6Ω

0.989kΩ

9.96kΩ

100.6kΩ

Vds

4.193

0.57

0.054

0.006

Vce

0.121

0.034

0.011

0.008

49.49mA

8.18mA

5.02mA

4.47mA

0.5mA

0.496mA

4.96e-5A

Rce

Rds

2.445Ω

512.591Ω

6.773Ω

127.517Ω

22Ω

108.871Ω

161.29Ω

120.967Ω

Corte / Saturação dinâmica

CONCLUSÃO

O transistor MOSFET foi ligado por uma tensão alta, sendo aplicada entre os terminais da porta gate e source para dessa forma entrar no estado de saturação estática

MOSFET > ativado por tensão

O transistor bipolar é ligado por meio de uma corrente alta, dessa forma ele entra no estado de saturação

bipolar > ativado por corrente

a respeito da saturação dinâmica, o que realmente faz diferença é a velocidade do transistor, o tempo que ele entra em comutação.

vale ressaltar também, que a presença do diodo e quanto maior a resistência maior a frequência para atingir o estado de saturação