Lista 01 Eletronica Analogica

Curso: TECNOLOGIA ELETROTÉCNICA INDUSTRIAL Nota:

Disciplina: ELETRÔNICA ANALÓGICA

Professor: Rosimar V. Primo

Turma: 309 Modelo de Prova: Data: 09 de setembro de 2014 Valor: 0,5 Pto

Tipo de Avaliação: Estudo Dirigido I Aluno (a): Elísio Robson Rodrigues RA 5664142721

OBS: Resolva as questões nesta própria folha, use o verso se precisar.

1. Dado um cristal semicondutor intrínseco, descreva os processos físicos e químicos para alterar sua condutividade.

R. O cristal e inicialmente é purificado até ser considerado puro ou intrínseco, logo após e adicionado impurezas ao cristal através de um processo chamado de Dopagem, a fim de obter cristais com características positiva e negativa, as quais serão unidas para construção dos diodos semicondutores.

2. Explique as formas pelas quais se quebra uma ligação covalente nos semicondutores.

R. Através de um substrato de puro de Si, são adicionadas impurezas aceitadoras ou trivalentes, que possuem três elétrons na camada de Valencia. Quando estes elementos são inseridos em uma estrutura covalente de quatro elétrons, deixam um buraco ou ausência de um elétron a qual é chamada de lacuna.

3. O coeficiente de resistência pela temperatura é positivo ou negativo em um material semicondutor? Explique.

R. o coeficiente e negativo.

4. Descreva o processo para obtenção dos cristais do tipo P e N.

R. Tipo N; se cria através da introdução de elementos de impurezas que possuem cinco elétrons na camada de Valencia. Ex: Antimônio, fósforo e arsênico.

Tipo P; Se forma através de um processo de dopagem de um cristal puro de germânio ou silício com átomos de impurezas que possuem três elétrons na camada de Valencia.

5. O que são cargas descobertas?

R. São os íons que formaram devido ao movimento dos eletrons

6. Mostre como é formada a barreira de potencial em uma junção PN.

R. Com o aparecimento da região de depleção, o transporte de elétrons para o lado p é bloqueado, pois estes são repelidos da região negativamente carregada do lado p.

O mesmo efeito se aplica para lacunas cujo transporte para o lado n é repelido pelas cargas positivas existentes no lado n da junção. Portanto, imediatamente após a formação da junção, uma diferença de potencial positiva é gerada entre os lados n e p.

7. O que é difusão de cargas em um cristal semicondutor?

R. A difusão e o espalhamento uniforme dos elétrons dentro da estrutura cristalina.

8. Defina corrente de recombinação em uma junção PN.

R. o elétron ocupa uma lacuna dentro de uma estrutura.

.

9. Explique como se dá a corrente de fuga de uma junção PN.

R. Quando o diodo é inversamente polarizado, correspondendo à passagem de portadores minoritários através da junção. Essa corrente de fuga é geralmente da ordem de alguns [µA], o que indica que a resistência da junção inversamente polarizada pode chegar a