Mosfet

Vemos um conjunto de curvas de VDS = f(VDS) de um dado JFET. Há uma região de saturação, uma região ativa e uma região de corte. Como vimos anteriormente, com VGS = 0V (Porta e Fonte em curto), a corrente de Dreno aumenta rapidamente até que VDS atinja 4V. Além deste valor de VDS, a corrente ID é praticamente horizontal. Entre 4V e 30V, a corrente ID é praticamente constante e JFET se comporta como uma fonte de corrente de aproximadamente 10mA. Quando VDS ultrapassa os 30V, o JFET rompe-se. Logo, a região ativa se situa entre 4V e 30V. A denominação de ID como sendo IDSS se refere à corrente ID com VGS = 0V e representa o valor máximo de ID como visto anteriormente. Na Fig. 05 temos IDSS = 10mA para VDS = 15V. Sendo as curvas de dreno do JFET praticamente horizontais, IDSS é de aproximadamente 10mA na região ativa. Fazendo s tensão VGS mais negativa, iremos reduzir a corrente ID . Portanto teremos:

VGS = - 1V ID = 5,62mA. VGS = - 2V ID = 2,5mA

VGS = - 3V ID = 0,625mA VGS = - 4V ID 0mA A curva inferior representa a região de corte, portanto:

VGS(Desligado) = VGS(OFF) = - 4V

Observando-se a região de saturação vê-se que quando o JFET está saturado, VDS se encontra entre 0V e 4V, dependendo da reta de carga. Notemos que a tensão de saturação mais alta é de 4V, igual (em módulo) à tensão VGS de corte, isto é, VGS(Desligado) = - 4V. Esta é uma propriedade de todos os JFETs; ela nos permite usar VGS(OFF) como uma estimativa da tensão máxima de saturação.

de VDS máximo na região de saturação será de aproximadamente de 3V. Por exemplo, um

Assim sendo, se um dado JFET tem um VGS(OFF) = - 3V, podemos afirmar que o valor

2N5457 tem um VGS(Desligado) = -2V. Portanto o VDS máximo na região de saturação é de aproximadamente 2V.

Eletrônica Analógica I • Transistores Unipolares: FET, JFET e MOSFET 1

1.8 – Trancondutância gm A transcondutância é representada por gm e é dada por:

gm = ID/VGS VDS = Cte.

Unidade : Siemens, símbolo S - O valor da condutância é máximo quando VGS = 0V e é denominada de gmo , gfso nas folhas de dados.

gm = gmo(1 - VGS/VGS(OFF)

OBS.: O valor de VGS(OFF) é muito difícil de ser medido na prática. Já IDSS e gmo são fáceis de serem determinados com grande precisão. Assim sendo, usamos a fórmula abaixo para calcular VGS(OFF).

VGS(OFF) = - 2IDSS/gmo

1.9 – Considerações Gerais

Figura 6 – Polarização do JFET

A figura 6 apresenta o circuito de polarização de um transistor JFET de canal n.

Observa-se que para que seja possível o controle da corrente de dreno são necessárias as seguintes condições:

VDD > 0 ou VGG < 0

O fluxo de elétrons da fonte para o dreno depende da largura do canal, isto é, polarização reversa na porta causa aumento das regiões de depleção, diminuindo a largura do canal e dificultando desta forma a passagem da corrente entre o dreno e a fonte (é uma região de íons, formada pela difusão pela junção). Desta forma temos as seguintes condições:

a) LARGURA DO CANAL: depende da tensão VGG, isto é, quanto mais negativa,