Gsdfgf

Aquecimento de pontos de contato microscópico entre grãos que ajudam na emissão

autoeletrônica, causam um crescimento na condutividade das partes transitórias e sua

ruptura parcial. A quantidade de calor envolvida é pequena e o espécime não se aquece

através de seu volume.

 A condução elétrica nos varistores é causada pelas várias cadeias paralelas de grãos de

contato com uma larga faixa na tensão de ruptura entre os contatos nas várias cadeias.

14.5.2. Arsenido de Gálio

 Sua banda de energia excede a do germânio e do silício, embora não seja muito grande. Sua

mobilidade eletrônica é maior que a do germânio e silício, mas a mobilidade dos buracos é

comparável com a do silício. A introdução de Zn, Cd e Cu serve como receptores cujos

níveis de energia passam de 0,08 a 0,37 eV e permanecem abaixo do máximo da banda de

valência do GaAs.

 Os doadores são S, Se, Te e são introduzidos em pequenas quantidades para substituir os

átomos de Ga. Quando adicionados em grandes quantidades os elementos do quarto grupo

se tornam impurezas neutras, pois entram nos pares das grades, substituindo os átomos de

Ga e As. Quando a densidade de impurezas cresce, as características do material se

aproximam dos semicondutores degenerados.

 O arsenido de gálio é usado para fotocélulas, medidores de radiação de raios X, diodos e

semicondutores lasers.

 Os dispositivos de arsenido de gálio estão disponíveis para serviço em temperaturas acima

de 4500

C.