A base teórica de transistores e os seus parâmetros

Introdução

Ganho de corrente ßcc, também conhecido como ganho de corrente na configuração emissor- comum, informa quantas vezes Ic é maior que a corrente Ib.

Ic = Ib x ßcc

Para quase todos os transistores menos de 5% dos elétrons que chegam na base vindos do emissor se recombinam com as lacunas da base e saem para produzir Ib. Sendo assim, podemos dizer que o ßcc é sempre maior que 20.Geralmente ele se encontra entre 50 e 300 e em alguns transistores podem chegar ate 1000.

O ßcc é fornecido pelo fabricante do transistor no datasheet do componente. É geralmente encontrado com a denominação HFE e seu valor é muito influenciado pela temperatura.

No experimento colocamos uma resistência com núcleo vazado para simular um forno, alterando os parâmetros do transistor.

Procedimento Experimental

Alimentando o circuito com uma fonte de 10 V, regulando e limitado a corrente em 1,2 A, obtivemos os valores de VCE, VBE e VR1, os mesmos foram anotados em uma tabela para futura comparação. Usando uma resistência de 10 Ω com núcleo vazado como “forno”, aquecemos a mesma com o objetivo de transmitir calor para o transistor, assim aumentando sua temperatura e variando seus principais parâmetros. Seguindo com o experimento os valores de VCE, VBE e VR1 foram novamente registrados e comparados com o primeiros.

Parâmetros

Valores com temperatura Valores com o transistor

Ambiente 25 °C Aquecido

VCE 8,79 V 1,31 V

VBE 0,67 V 0,82 V

VR1 11,31 V 12,87 V

Conclusão

De acordo com os fundamentos teóricos sobre os transistores e seus parâmetros fomos capazes de discutir após o experimento o funcionamento e as mudanças que o transistor sofre quando o mesmo é exposto a uma mudança de temperatura, no caso o aquecimento da resistência com núcleo vazado.