ATPS - ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
Monografias: ATPS - ELETRÔNICA DE POTÊNCIA. Pesquise 861.000+ trabalhos acadêmicosPor: alexdool • 7/9/2014 • 9.709 Palavras (39 Páginas) • 744 Visualizações
FACULDADE ANHANGUERA DE SOROCABA
CURSO DE ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO
ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
ATPS – ELETRÔNICA DE POTÊNCIA
Sorocaba/SP
2012
Sumário
Etapa 1
Passo 1
Basicamente a grande diferença de um Diodo comum e do diodo de potencia é que um diodo de potencia tem:
Um corpo maior para poder dissipar o calor gerado internamente, pode ser simplesmente de epóxi para correntes medias até metálico para refrigeração por água.
- uma área de junção maior. Se a corrente que vai circular é maior, é necessário mais área para não ultrapassar o limite de corrente do semicondutor (silício, por exemplo)
- a tensão de junção (região direta) fica ligeiramente menor devido a esse aumento da área, um diodo comum tem 0,6v e um de potência chega a 0,45v.
- Devido a esse aumento de área, diodo de potência apresenta elevada capacitância de junção, diminuindo a resposta em freqüências mais altas.
A construtiva é basicamente o material q seu encapsulamento é feito. No caso dos diodos de potência, geralmente são de metal e de design q facilita a incorporação de um dissipador de calor, bem como obviamente o diâmetro e formato dos terminais q fogem do comum, o q implica numa acomodação sua na PCI bem diferente.
O comportamento desse tipo de diodo é basicamente o mesmo de um diodo de baixa potência, com uma exceção, sua corrente de fuga (qd polarizado reversamente) é bem maior o que deve ser levado em conta se for o caso.
Agora algumas imagens de encapsulamento de Diodos.
Diodo retificador de potência tipo rosca
Diodo retificador de potência tipo disco
Diodo retificador de potência tipo press fit
Passo 2
Diodos de Potencia
Diodos/codigo VRRM IFAV VF TRR
1N 5408 800v 3A 1,2V
SKN100/12 1200V 125A 1,55V
SKN6000/06 600V 6000A 1,3V
Diodos Rápidos
SKN3F20/8 800V 20A 2,15 250ns
SKN340F/18 1800V 400A 1,9V 2200ns
BY359-1500 1500V 6,5A 2,6V 600ns
Diodos Ultra-Rapidos
UF4007 1000V 1A 1,7V 50ns
MUR840 400V 8A 1,25V 50ns
BYT16P-400 400V 16A 1,5V 35ns
RHRG30120 1200V 30A 2,25V 70ns
Diodos Schottky
MBRD835L 35V 8A 0,41V
IN5822 40V 3A 0,52V
STPS12045TV 45V 60A 0,67V
Tabela 1
Significados dos parâmetros mais importantes:
VRRM – Tensão reversa
IFAV - Corrente
VF – Queda de Tensão
TRR - Recuperação reversa
Tipos de diodo
DIODO RETIFICADOR RÁPIDO BYT16P-400
DIODO RETIFICADOR BY359-1500
DIODO RETIFICADOR 1N 5408
DIODO RETIFICADOR TIPO ROSCA
DIODO RETIFICADOR TIPO DISCO
DIODO RETIFICADOR PRESS-FIT
Tabela 2
Passo 3
SCR (Sillicon Controlled Rectificier)
A sigla significa retificador controlado de silício (Sillicon Controlled Rectificier). Ele é um diodo controlado por pulso, aplicado no gatilho ( gate ). Sua estrutura PNPN é igual à da trava ideal, sendo o pulso positivo aplicado no terminal que corresponde à base do transistor NPN, o gatilho. O emissor do PNP é o anodo e o do NPN, o catodo do diodo
• Características de reduzidas resistências e tensões em condução, permitindo a aplicação em elevadas tensões e potências (5000 - 6000 V e 1000 - 2000 A)- 1998.
• Bloqueio através da redução da corrente à valores inferiores à I H(corrente de manutenção), uma vez que, mesmo com a inversão da corrente do gate, não é possível bloquear o SCR
• Com o aumento da corrente de gate, diminui a tensão direta de entrada em condução (VBO).
• Em condução a característica é similar ao diodo PN.
• Não
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