Eletronica analogica

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA

CAMPUS MANAUS – DISTRITO INDUSTRIAL

TRANSISTORES FET’S E MOSFET’S

BIANCA DE PAULA

GIGLIOLA MAYARA

ROSANE VITÓRIA

MANAUS – AM

2015

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO CIÊNCIA E TECNOLOGIA

CAMPUS MANAUS – DISTRITO INDUSTRIAL

BIANCA DE PAULA

GIGLIOLA MAYARA

ROSANE VITÓRIA

TRANSISTORES FET’S E MOSFET’S

Trabalho de pesquisa apresentado como requisito de avaliação na 3ª etapa da disciplina de Práticas de Eletrônica Analógica do Curso de Eletrônica, turma EIEL 31A, do Instituto de Educação, Ciência e Tecnologia do Amazonas, Campus Manaus – Distrito Industrial.

Professor: Marcos Maciel

MANAUS – AM

2015

INTRODUÇÃO:

O Transistor de Efeito de Campo de Juntura (JFET) e o Metal-óxido Semicondutor FET (MOSFET), são exemplos de transistores unipolares, ou seja, o fluxo de corrente acontece somente em um tipo de material (tipo P ou tipo N), denominado canal de condução. Ao contrário dos transistores bipolares, onde a corrente atravessa os dois tipos de materiais, esses tipos de transistores possuem algumas características especiais que melhoram as condições de operação em certas aplicações.

MATERIAL UTILIZADO:

- Módulo Universal 2000;

- Placa de experiências CEB 05;

- Osciloscópio;

- 2 Multímetros digitais (um como voltímetro e outro como miliamperímetro);

EXPERIÊNCIA 2: CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO DE JFET’S.

PROCEDIMENTO:

1. Polarização da Porta.

Com o módulo e a fonte variável desligada, instalamos a placa CEB-05 no Slot E do Módulo Universal 2000.

Colocamos as chaves Ch1 e Ch5 na posição fechada (ON) e as demais chaves na posição aberta (OFF). Conectamos o miliamperímetro entre os pontos A1 e A2, selecionamos a escala para medirmos na faixa de 50mA DC.

Conectamos o voltímetro na saída da fonte variável. Ligamos o módulo e ajustamos a tensão da fonte em +15V e -1,5V, respectivamente. Verificamos a conexão e a escala do mA e ligamos a fonte para alimentarmos o circuito. Nestas condições, tem-se o circuita equivalente ao de polarização da porta.

Variamos a tensão negativa da porta, ajustamos a corrente de dreno em torno da metade de . De acordo com o circuito de polarização da porta, medimos e anotamos:[pic 1]

[pic 2]

[pic 3]

               Não foram capturadas as fotos para os resultados abaixo:

                  [pic 4]

  [pic 5]

Com a polarização da porta, aplicamos uma tensão negativa fixa no terminal do gate, produzindo uma corrente de dreno menor do que . Desta maneira, está fixado o ponto Q de operação, qualquer sinal aplicado na porta provocaria variação da corrente de dreno. Em consequência, neste terminal o sinal seria reproduzido de forma amplificada. O principal problema está na produção em série: quando vários circuitos iguais são montados, a corrente de dreno varia de um circuito para outro e não é possível definir com precisão o valor deste parâmetro, pois a corrente de dreno, usualmente, apresenta uma significativa diferença de um JFET para outro.[pic 6]

1. Autopolarização.

Modificamos as posições das chaves de modo que Ch4 ficou na posição fechada (ON) e as demais chaves ficaram na posição aberta (OFF). Nestas condições, o circuito equivale ao de Autopolarização.

Medimos e anotamos:

(Não capturamos foto do resultado abaixo)

[pic 7]

[pic 8]

[pic 9]

[pic 10]

[pic 11]

[pic 12]

[pic 13]

Como a corrente de porta é teoricamente nula, a tensão na porta é zero, pois resistência de 1K está aterrada. A corrente pela resistência de fonte eleva o potencial do terminal de fonte e fixa um ponto Q de operação.