Laboratório de Dispositivos 1 - FET

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INTRODUÇÃO

Neste trabalho estarão sendo relatadas as atividades desempenhadas no laboratório durante a aula de Dispositivos e Circuitos Eletrônicos I, sob a orientação da professora Taciana Paula Enderle. O tema a ser abordado será o transistor FET e seus diferentes tipos de polarizações, analisando seus parâmetros, entendendo seu funcionamento para então realizar sua aplicação prática bem como a simulatória utilizando o software Proteus.

PROCEDIMENTO 01

O TRANSISTOR FET – POLARIZAÇÃO FIXA

EQUIPAMENTOS NECESSÁRIOS:

• 2 Fontes (VDD=10V e VGG=2V);
• 2 Resistores: RG=1MΩ, RD=2kΩ;
• 1 Transistor BF245A;
• 1 Multímetro;

Para o circuito apresentado na Figura 1 determine os parâmetros apresentados na Tabela 1. Monte o circuito e meça os mesmos parâmetros realizando uma comparação.

[pic 1]

   

Figura 1 – Configuração de polarização fixa

Tabela 1 – Valores Encontrados

	IG	ID	VG	VD	VS	VGS	VDS
Calculado	0 A	5,625 mA	-2 V	-1,25 V	0 V	-2 V	-1,25 V
Medido	X	4,24 mA	1,75 V	0,97 V	0 V	-1,74 V	0,98 V
Simulação	-0,02 uA	-0,1 uA	-1,98 V	10 V	0 V	-1,98 V	10 V

[pic 2]

VGS (V)	ID (mA)
0	10
-2,4	5
-4	2,5
-8	0

ID =  Idss.(1-VGS/Vp)²

ID = 10m.(1-(-2/-8))²

ID = 10m.0,5625

ID = 5,625mA

VG = -VGG = -2V

VDS = VDD – (ID.RD)

VDS= 10-(5,65m.2K)

VDS= -1,25V

VD = VDS

VS = 0V

IG ~ 0 A

[pic 3]Circuito em etapa simulatória utilizando Proteus

PROCEDIMENTO 02

O TRANSISTOR FET – POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

EQUIPAMENTO NECESSÁRIO

• 1 Fonte (10 V);
• 4 Resistores: R1=220Ω, R2=1kΩ, RS=1,1kΩ, RD=2,2kΩ;
• 1 Transistor BF245A;
• 1 Multímetro;

Para o circuito apresentado na Figura 2 determine os parâmetros apresentados na Tabela 2. Monte o circuito e meça os mesmos parâmetros realizando uma comparação.

[pic 4]

   

Figura 2 – Configuração de polarização fixa

Tabela 2 – Valores Encontrados

	IG	ID	VG	VD	VS	VGS	VDS
Calculado	0 A	7,45 mA	8,2 V	7,82 V	8,91 V	-0,90 V	-1,09 V
Medido	X	1,47 mA	7,52 V	6,84 V	6,81 V	0,81 V	26,94 mV
Simulação	4,93 mA	1,36 mA	8,2 V	7,01 V	6,92 V	0,40 V	0,09 V