MONTAR E ANALISAR ALGUMAS CONFIGURAÇÕES PARA POLARIZAÇÃO DE TRANSISTORES, AVALIANDO VANTAGENS E DESVANTAGENS DE CADA UMA

5º Relatório de Laboratório de Eletrônica Básica

Nome: Thiago Alonso Rabelo
Turma: 35EF Manhã
Matricula: 1120762/6

Resumo

Montar e analisar algumas configurações para polarização de transistores, avaliando vantagens e desvantagens de cada uma.

Procedimento Experimental

Parte 1:

Para o circuito de polarização de transistores da figura 1, aplicar uma tensão contínua de 15Volts com uma resistência de coletor de 1KOhms e resistência de base de 10KOhms e realizar as medições descritas a seguir com o multímetro:

- Tensão entre Coletor e Emissor VCE (V);

- Tensão entre Coletor e Base VCB (V);

- Tensão entre Base e Emissor VBE (V);

- Corrente na Base IB (mA);

- Corrente no Coletor IC (mA);

- Corrente no Emissor IE (mA).

                         

Figura 1[pic 1]

Parte 2:

Montar o circuito da figura 2, transistor propicio a funcionar na região ativa, aplicando-se uma tensão continua de 15 volts, para efetuar as seguintes medições com o multímetro considerando dois valores para a resistência no coletor igual a 3,3 KOhms e resistência de emissor igual a 1KOmhs:

- Tensão entre Coletor e Emissor VCE (V);

- Tensão entre Coletor e Base VCB (V);
- Tensão entre Base e Emissor VBE (V);

- Corrente no Emissor IE (mA).

Logo em seguida, com os dados obtidos, verificar a lei de Kirchhoff das tensões para o transistor, ou seja, VCE = VCB + VBE.

[pic 2]

                                          Figura 2

Parte 3:

Montar o circuito da figura 3, transistor propicio a funcionar na região ativa, aplicando-se uma tensão continua de 15 volts e -15Volts, para efetuar as seguintes medições com o multímetro considerando que deve ser realizado em dois transistores NPN diferentes (BC 337 e BC 548):

- Tensão entre Coletor e Emissor VCE (V);

- Tensão entre Coletor e Base VCB (V);
- Tensão entre Base e Emissor VBE (V);
- Corrente no Emissor IE (mA).

Logo em seguida, com os dados obtidos, verificar a lei de Kirchhoff das tensões para o transistor, ou seja, VCE = VCB + VBE.[pic 3]

 Figura 3

Resultados e Discussões

A partir das medições realizadas na primeira parte, obteve-se os seguintes resultados:

Grandeza Medida	Valor	Unidade de medição
VCE	0,023	Volts
VCB	0,68	Volts
VBE	0,71	Volts
IB	0,13	mA
IC	13,12	mA
IE	14,54	mA

Nessa primeira parte da prática é possível perceber que o transistor estar em uma polarização de base estando posicionada na sua região de saturação (temos VCE aproximadamente ZERO), ou seja, o transistor está funcionando como chave no circuito. Em decorrência disso é percebido que o valor da corrente de base é um décimo do valor da corrente do coletor, dessa forma, garante – se a saturação sob todos os valores encontrados para o B CC do transistor.

Com as medições da segunda parte, tiveram-se os resultados da tabela abaixo:

Grandeza Medida	BC 337	BC 548
VCE (V)	7,6	7,67
VCB (V)	6,99	7,04
VBE (V)	0,63	0,64
IE (mA)	1,72	1,71

          Na segunda parte da prática, é possível observar que o circuito da figura 2 é mais adequado para posicionar o transistor na sua região ativa, funcionando como uma fonte de corrente controlada pela corrente de base, ou seja, dessa forma, o transistor está habilitado a permitir que um sinal externo que seja introduzido no circuito possa aparecer na saída sofrendo uma amplificação. Mesmo com a utilização de dois transistores distintos é notado que a influência de B CC do transistor é irrelevante no posicionamento do transistor na região ativa, ou seja, os valores medidos em VCE e IC não sofreram grandes alterações nas suas magnitudes com a troca dos transistores.

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