TrabalhosGratuitos.com - Trabalhos, Monografias, Artigos, Exames, Resumos de livros, Dissertações
Pesquisar

Preparatório - Determinação da Curva Característica de um Diodo Retificador

Por:   •  23/9/2016  •  Trabalho acadêmico  •  1.070 Palavras (5 Páginas)  •  757 Visualizações

Página 1 de 5

SUMÁRIO

Neste preparatório iremos analisar fisicamente o dispositivo de estado sólido mais básico, o diodo.

Compreendendo o quê este componente da eletrônica proporciona e como o faz, observando as grandezas físicas envolvidas neste ramo da engenharia.

1. INTRODUÇÃO

O diodo retificador, é um dispositivo de estado sólido. Tendo como antecessores, as válvulas termoiônicas - mais básico na eletrônica.

Também, possui um componente mecânico análogo: a válvula de bloqueio (hidráulica e pneumática), que permite o fluxo de modo unidirecional.

Seguindo a orientação sugerida, os principais tópicos presentes neste trabalho são:

1) Explicar porque o potencial de contato da junção p-n não pode ser medido simplesmente ligando-se um voltímetro nos terminais do diodo.

2) Explicar fisicamente porque um diodo (junção p-n) funciona como retificador.

3) Escrever a equação que liga a tensão a corrente para um diodo p-n.

4) Desenhar as características Volt-Ampére, na mesma escala, para diodos de germanio e de silício mostrando a tensão de limiar para cada uma delas.

5) O que é um diodo ideal? Desenhe o gráfico de um diodo ideal.

6) O que é reta de carga de um circuito?

7) Porque posso definir a região antes do joelho como não linear ? E porque posso definir a região após o joelho como linear?

1.1. PARTE TEÓRICA

Os diodos são construídos a partir de materiais semicondutores, principalmente de Silício (Si) e Germânio (Ge) - elementos tetravalentes. Essa característica permite uma construção que, quando é adicionada uma impureza de forma dosada (dopagem), que não altera significativamente a estrutura atômica, mas altera a ligação covalente.

O processo de dopagem pode ser feito de duas formas: Os materiais extrínsecos de tipo N (doadores) - elementos de impureza pentavalente, como o antimônio (Sb), arsênio (As) e fósforo (P) e os materiais extrínsecos de tipo P (aceitadores) - elementos de impureza trivalente, como o boro (B), gálio (Ga) e índio (In). A região de dopagem, constituída de íons positivos e negativos é nomeada de região de depleção, devido à redução do elemento dopado.

Após o efeito de dopagem o material muda o seu comportamento elétrico, pois as impurezas presentes estão estruturadas com elétrons, relativamente "livres". Obtendo um componente que possui fluxo de carga do anodo para o catodo e bloqueando o fluxo de carga do catodo para o anodo: Temos o diodo retificador.

Uma observação sobre os dispositivos de estado sólido é a miniaturização, permitindo a construção de circuitos altamente complexos, com um número de componentes muito maior que o volume ocupado. Limitados somente pela qualidade do material, técnicas de projetos e de equipamentos e processos de fabricação.

1.2. PARTE EXPERIMENTAL

Verificando um diodo ideal {Respondendo ao tópico 5}, o dispositivo perfeito em todos os sentidos, sem limites em suas características primárias, como demonstrado na Figura 01.

O circuito à ser analisado é composto por uma fonte de tensão DC, um resistor e um diodo em série. Temos, então, três formas possíveis de polarização:

Polarização Direta [VD>0V] a região de condução do diodo ideal (curto circuito);

Polarização Reversa [VD<0V] a região de não-condução do diodo ideal (circuito aberto);

Sem polarização [VD=0] o material é elétricamente neutro, {Respondendo ao tópico 1} pois o número de prótons ainda é igual ao número de elétrons.

Figura 01: Gráfico do Diodo ideal

Assim temos um dispositivo capaz de conduzir corrente em um único sentido, funcionando como uma chave como demonstrado na Figura 02.

Figura 02: Relação de polarização de um Diodo Ideal

O diodo ideal não representa o comportamento real do diodo retificador. Por exemplo, existe corrente sob condições de polarização reversa, e é chamada de Corrente de Saturação Reversa (IS), pois o bloqueio causado pela região de depleção, possui um limite e acaba cedendo, mesmo que com uma corrente muitíssimo pequena.

Através de conceitos da física dos dispositivos de estado sólido,

...

Baixar como (para membros premium)  txt (6.8 Kb)   pdf (177.2 Kb)   docx (12.3 Kb)  
Continuar por mais 4 páginas »
Disponível apenas no TrabalhosGratuitos.com