Relatório Curva Característica do Diodo

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UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ – CAMPUS SOBRAL  

CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA  

DISCIPLINA: Eletrônica Analógica 

PROFESSOR: Paulo Robson Melo Costa 

 

 

 

 

 

PRÁTICA 02 DO LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA 

João Pedro da Silva Rodrigues 

385518 

Sobral

2019 

 

SUMÁRIO 

 

1. INTRODUÇÃO..................................................................................................... 3

2. OBJETIVO............................................................................................................ 3

3. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO...............................................................................................................3

4. PROCEDIMENTO.................................................................................................3

5. RESULTADOS E DISCUSSÕES........................................................................................................... 6

6. QUESTIONÁRIO..................................................................................................4

      7. CONCLUSÃO.......................................................................................................6

8. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ..................................................................6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1. INTRODUÇÃO 

O diodo é um componente que pode conduzir ou bloquear a passagem de eletricidade, dependendo da polaridade da tensão com os seus terminais. Desse modo, o diodo apresenta uma grande variedade de aplicações. Ele é composto pela junção entre um semicondutor do tipo p e um do tipo n. 

1. OBJETIVO DA PRÁTICA 

Levantar as curvas características do diodo mediante simulação e experimentação. 

       3. ESPECIFICAÇÕES, CONSIDERAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO

Especificações:

• Vi = 0 a 2,7 [V] [Tensão contínua variável a ser aplicada à entrada].

Considerações:

• Ifmax = 0,90[A] [Corrente máxima adotada no diodo];
• VfN = 0,70[V] [Queda de tensão nominal no diodo];
• D1 1N4007 [Dio do selecionado].

Materiais utilizados

• Multimetro;
• Fonte de tensão CC;
• Diodo Retificador (1N4007);
• Osciloscópio;
• Fios.

0.3 Esp ecificaçõ es, Consideraçõ es e Materiais Utilizados

•Multimetro GW Instek GDM-396;

•Fonte de tensão CC;

•Dio do Retificador (1N4007);

•Resistor (18Ω/0,25W);

•Matriz de Contatos;

•Fios.

1. PROCEDIMENTO

A parte prática consistiu em medir a queda de tensão em dois diodos diferentes para diferentes correntes. Para isso, um multímetro foi ligado em série a uma fonte de tensão CC, que foi ligado em série ao diodo. Usando fios jumper, uma das pernas do diodo foi ligado ao multímetro e a outra ao terra do circuito. A tensão na fonte foi ajustada para 2.7 V e a corrente para valores entre 0.1 A e 0.9 A. Utilizando um osciloscópio foi medido a queda de tensão no diodo para os diferentes valores da corrente. Em casa, foi feita análise computacional, no software ORCAD. Foi utilizado o diodo 1N4007.

1. RESULTADOS E DISCUSSÕES

Os resultados encontrados, tanto experimentalmente como na análise computacional, podem ser encontrados na tabela a seguir.

 

Tabela 1 – Queda de tensão nos diodos 

Id(A)	0,10	0,20	0,30	0,40	0,50	0,60	0,70	0,80	0,90
Vd(V) Simulado	0,776	0,828	0,845	0,879	0,897	0,914	0,931	0,948	0,948
Vd(V) Diodo 1	0,806	0,831	0,840	0,848	0,854	0,856	0,856	0,856	0,856
Vd(V) - Diodo 2	0,712	0,741	0,760	0,769	0,777	0,784	0,790	0,792	0,792

Fonte: autor. 

Pode-se perceber que o aumento de tensão ocorreu principalmente nas primeiras medições, se mantendo quase constante nas últimas. Os, valores medidos ficaram entre 0,7 V e 0,9 V, bem próximos do valor encontrado na literatura para um diodo de silício, de 0,7V. Os valores encontrados na simulação também ficaram dentro do esperado.

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