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A Análise e Desenvolvimento de Sistemas

Por:   •  26/2/2019  •  Trabalho acadêmico  •  1.271 Palavras (6 Páginas)  •  363 Visualizações

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Análise e Desenvolvimento de sistemas

Guilherme Rodrigues gonçalves – 216662018

Turma:M1Impb

Portfólio

Arquitetura de Computadores

                                                                      Guarulhos

                                                                          2018

 

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Disciplina:

Arquitetura de Computadores

Portfólio N° 01

Panorama

 

:: Portfólio 

 

 

NOVO MATERIAL AUMENTA EM 250 VEZES A CAPACIDADE DE MEMÓRIA DO COMPUTADOR

Novos materiais que permitem ampliar a capacidade atual de memória dos computadores em até 250 foram obtidos em pesquisa realizada no Laboratório Interdisciplinar de Eletroquímica e Cerâmica (Liec), formado por pesquisadores da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar) e do Instituto de Química da Universidade Estadual de São Paulo (Unesp), em Araraquara.

Utilizando um método químico simples, os pesquisadores obtiveram um material de altíssima constante dielétrica de titanato de bário e chumbo. A constante obtida tem o valor de 1.800, quase três vezes maior que as pesquisas apresentadas até o presente momento, as quais giram em torno de 700. “A alta densidade de dielétrica é necessária para manter a densidade de armazenamento de carga dentro dos padrões exigidos para futuras gerações de memória de acesso aleatório dinâmico, para ter uma menor velocidade de consumo de energia elétrica. [...]”, explica o professor Elson Longo, diretor do Centro Multidisciplinar para o Desenvolvimento de Materiais Cerâmicos (CMDMC) [...].

[...] O professor Longo lembra que várias organizações japoneses e norte-americanas, ligadas a indústrias de semicondutores, depositaram nos últimos cinco anos mais de 420 patentes relacionadas com memória de acesso aleatório dinâmico. [...] Há mais de duas décadas se verifica uma corrida em busca da redução das dimensões dos dispositivos integrados na microeletrônica, principalmente, na tecnologia do silício em sistemas do tipo MOS (metal-óxido-semicondutor). Assim, a utilização de filmes finos ferroelétricos tem grande importância na preparação dos dispositivos eletrônicos, pois apresentam vantagens quando comparados com as cerâmicas convencionais, tais como: menor tamanho, baixo peso, requer baixa voltagem de operação e alta velocidade de escrita/leitura (write/read)

Fonte: Agência Brasil (2004)

 

 

 

QUESTÕES PROPOSTAS

 

  1. Por que é tão importante aumentar a capacidade da memória de um computador, como afirma a matéria?

R: É necessário que aumente cada vez mais a memória de um computador para manter a capacidade  de armazenamento de carga dentro dos padrões exigidos nas futuras gerações. A matéria afirma que a busca pelo aumento da memória de um computador ocasiona uma menor menor velocidade de consumo de energia elétrica, redução das dimensões dos dispositivos integrados usando materiais específicos e vantajosos  como a tecnologia do silício e os filmes finos ferroelétricos em relação as cerâmicas convencionais atuais. Além disso, a utilização dessas novas tecnologias ocasiona uma redução no tamanho, baixo peso, baixa voltagem de operação e alta velocidade de escrita/leitura. Portanto, o aumento da capacidade da memória é importante para o processamento e armazenamento de novos programas que surgem e que exigem cada vez mais dos computadores.

  1. Qual tipo de memória mais veloz em um computador?

R: Os Regristradores(CPU) é o tipo de memória mais veloz do computador. Isso ocorre pelo fato do Registrador ser o elemento que passa a maior velocidade de transferência dentro do sistema (menor tempo de acesso, em torno de 10 a 20 nanossegundos) e menor capacidade de armazenamento, dependendo de tratar-se de CPU de um supercomputador ou de um microprocesador mais lento. Os registradores são fabricados uma única instrução, ou seja, são memórias auxiliares da CPU e guardam a informação no menor tempo necessário para a utilização. Apesar disso, o custo dessa tecnologia é elevado e está no topo da pirâmide dos dispositivos de memória.

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