Lista De Eletromecanica

1. Quais os materiais utilizados na eletrônica?

Materiais semicondutores. Na eletrônica são utilizados o germânio e silício, sendo o silício tendo mais aplicabilidade.

2. Para que serve a dopagem de um material?

Dopagem eletrônica consiste num procedimento de adição de impurezas químicas a um elemento semicondutor para transformá-lo num elemento mais condutor, porém, de forma controlada.

3. Defina o que é um material do tipo P e do tipo N.

O cristal que foi dopado com impureza doadora é chamado de semicondutor do tipo n, onde n está relacionado com negativo. Como os elétrons livres excedem em números as lacunas num semicondutor tipo n, os elétrons são chamados portadores majoritários e as lacunas, minoritários. O cristal que foi dopado com impureza aceitadora é chamado tipo p, onde p está relacionado com positivo. Como as lacunas excedem ao numero de elétrons livres num semicondutor tipo p, as lacunas são chamadas de portadores majoritários e os elétrons livres, minoritários.

4. Descreva o funcionamento do diodo. Como ocorre a passagem de corrente elétrica? Fale sobre a região de depleção, tipos de polarização.

A união de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtêm-se a junção pn, que é um dispositivo de estado sólido simples: odiodo semicondutor de junção. Devido a repulsão mútua os elétrons livres do lado n espalham-se em todas direções, alguns atravessam a junção e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre a lacuna desaparece e o átomo associado torna-se carregado negativamente. (um íon negativo) Cada vez que o elétron atravessa a junção ele cria um par de íons. Os íons estão fixo na estrutura do cristal por causa da ligação covalente. Á medida que o numero de íons aumenta, a região próxima à junção fica sem elétrons livres e lacunas. Chamamos essa região de camada de depleção. Além de certo ponto, a camada de depleção age como uma barreira impedindo a continuação da difusão de elétrons livres. A intensidade da camada de depleção aumenta com cada elétron que atravessa a junção até que se atinja um equilíbrio. A diferença de potencial através da camada de depleção é chamada de barreira de potencial. A 25° , esta barreira é de 0,7V para o silício e 0,3V para o germânio. O diodo funciona como uma chave de acionamento automático (fechada quando o diodo está diretamente polarizado e aberta quando o diodo está inversamente polarizado).

5. A resistividade elétrica dos semicondutores aumenta com o aumento da temperatura, ao contrário dos metais. Explique o porquê.

Esta afirmativa está errada. Na verdade, a resistividade nos semicondutores diminui com o aumento da temperatura, ao contrário dos metais.

Esta diferença se dá pelas propriedades das ligações, nos metais as ligações são metálicas e nos semicondutores as ligações são covalentes com 4 elétrons de valência. O aumento de temperatura fornece uma energia que liberta transportadores de cargas adicionais nos semicondutores. Já nos metais, o aumento de temperatura diminui livre percurso médio dos elétrons, com isso, diminuindo a mobilidade dos elétrons livres das ligações metálicas.

6. Explique o efeito da estrutura

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