TRABALHO SOBRE CMOS

8.7) Tecnologia MOS

MOS – metal-óxido-semicondutor: um eletrodo de metal

sobre um óxido isolante sobre um substrato de

semicondutor

MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor

UFJF – FABRICIO CAMPOS

O campo elétrico do eletrodo de metal, do lado do oxido

isolante, tem um efeito sobre a resistência do substrato

Simples, baixo custo de fabricação, pequeno, consome

pouquíssima potência.

8.7) Tecnologia MOS

O MOSFET

Pode ser do tipo enriquecimento CANAL-N ou CANAL-P

8.9) Características da série CMOS

Possuem as mesmas funções lógicas da família TTL e

também funções especiais

Termos para substituir famílias:

COMPATÍVEL PINO A PINO

FUNCIONALMENTE EQUIVALENTE

UFJF – FABRICIO CAMPOS

ELETRICAMENTE COMPATÍVEL

8.9) Características da série CMOS

SÉRIE 4000/14000

Primeira série CMOS

Muito baixo consumo

Alimentação 3~15V

Não compatível pino a pino nem eletricamente com TTL

74HC/74HCT (HIGH SPEED CMOS)

UFJF – FABRICIO CAMPOS

74HC é 10 vezes mas rápido do que 74LS

Compatível pino a pino e funcionalmente com TTL

74HCT é eletricamente compatível com TTL

Pode ser ligada diretamente a qualquer TTL

8.9) Características da série CMOS

74AC/74ACT (CMOS AVANÇADA)

Comparando com HC:

Maior imunidade ao ruído

Menos atraso de propagação

Maior velocidade de clock

Funcionamento compatível com TTL mas não pino a

pino

UFJF – FABRICIO CAMPOS

74AC11004 = 74HC04

74AHC/74AHCT (ADVANCED HIGH-SPEED)

Comparando com HC:

Alta imunidade

Baixo consumo

Até 3 vezes mas rápidos

8.9) Características da série CMOS

LÓGICA BiCMOS (5V)

Combina