Aplicações em eletrônica de potência

Devido ao diodo SiC SBD não possuir quaisquer portadores minoritários

armazenados, não há corrente de recuperação reversa associada ao regime transitório até o

bloqueio efetivo. O que existe é apenas uma pequena quantidade de corrente necessária para

carregar a capacitância da junção do SBD durante o regime transitório. Através da Figura 1,

pode-se verificar que o desempenho de ambos os diodos se manteve igual até a origem do

gráfico, mesmo sob diferentes temperaturas de junção. A partir deste ponto é possível

observar significativas mudanças no funcionamento dos diodos perante variações de

temperatura.

Em contraste com o diodo SiC SBD, o Diodo Si apresenta uma grande quantidade de

carga reversa (Qrr) e que aumenta drasticamente com a temperatura. Em aplicações típicas de

correção de fator de potência, esta quantidade excessiva de Qrr aumenta as perdas de

comutação, colocando uma enorme sobrecarga sobre o interruptor e o diodo.Revista de Engenharia e Tecnologia ISSN 2176-7270

V. 4, No

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3. APLICAÇÕES EM ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

Na eletrônica de potência, inúmeras são as aplicações onde se faz necessária a presença de

diodos. Neste sentido, atualmente os componentes SiC são as melhores soluções em se

tratando de aumento de eficiência em topologias do conversor elevador de tensão tipo Boost

(O’NEILL, 2008).

Atualmente, as principais aplicações do SiC estão voltadas à correção de fator de

potência, em fontes de alimentação chaveadas. Porém ainda existe um fator limitante à

utilização desta tecnologia: o custo elevado. Deste modo, esses dispositivos ainda demandam

tempo para se difundir no ramo industrial.

Projeções indicam que o tamanho do mercado mundial de dispositivos SiC em 2013

deverá atingir aproximadamente 70 milhões de dólares (YOLE, 2010). Outra projeção é a de

que haverá um grande aumento de tamanho deste mercado entre o período de 2013 e os seis

anos seguintes, elevando assim este valor de 70 milhões de dólares para a marca dos 800

milhões de dólares ao final de 2019. Isto representa um aumento de aproximadamente onze

vezes em sete anos e, com isso, espera-se uma redução do custo desta tecnologia.

Grande parte deste aumento de mercado ocorrerá devido ao aumento de aplicações de

SiC em