Características de FET (Field Effect Transistor)

UERJ – FEN – DETL ELO-II-2015-1 (Laboratório) Turma: 4[pic 1]

Professor: Lisandro Lovisolo

1a Experiência – Características de FET (Field Effect Transistor)

Documento	Data	Visto
Preparatório
Funcionamento
Relatório

Grupo	Data	Visto	Data	Visto	Data	Visto
Henrique Santana
Bruno Strzoda

Relatório – Experiência I

1. Documento

O presente relatório visa a execução do experimento planejado no preparatório, para que os dados sejam confrontados numa relação “teórico X prático”.

1. Projeto

O projeto tem por objetivo proporcionar o conhecimento de FETs (Field EffectTransistors), suas estruturas e classificações, princípios de operação, características e parâmetros. Medir as características estáticas “volt-ampere” (VAC) de FETs e outros parâmetros. Isto é, obter empiricamente as principais características operacionais de um FET.

1. Experimento
   São objetivos do experimento:
   1- Medir as características DC e de pequenos sinais de um JFET e compará-las com as disponibilizadas por fabricantes e com as obtidas por simulação;

1. Características de saída e de transferência de um FET
2. Medir VP e IDSS
3. Cálculo de gm e Ro.

            2- Polarizar um JFET para atingir um ponto de operação (quiescente) específico;

            3- Comparar os desempenhos teórico, simulada e medido de um amplificador a JFET em
            termos de polarização e comportamento para pequenos sinais.

1. Circuitos e Preparações
   O circuito da figura 1 será utilizado para levantar as curvas operacionais de um FET BF245C neste experimento.

[pic 2][pic 3]

1. Medidas realizadas

Equipamentos necessários:

- Parte 1:
1 Protoboard;
1 TransistorBF245C;
2 Resistores (1kΩ e 0.3MΩ);
2 Fontes CC;
2 Multímetros;
1 conjunto de Bornes para ajudar na medição de corrente
Diversos conectores(cabos).

- Parte 2:
1 Protoboard;
1 TransistorBF245C;
2 Resistores (0.4kΩ e 1MΩ);
1 Potenciômetro de 10kΩ
2 Fontes CC;
2 Multímetros;
1 conjunto de Bornes para ajudar na medição de corrente
Diversos conectores(cabos).

Medidas necessárias:

- Parte 1:

VGS	R1	R2	VDS	ID	VR1
0V	0,982kΩ	0.3MΩ	17V	13,24mA	13V
0V	0,982kΩ	0.3MΩ	11,75V	13,49mA	13,25V
0V	0,982kΩ	0.3MΩ	7V	13,23mA	13V
0V	0,982kΩ	0.3MΩ	3,15V	12mA	11,85V
0V	0,982kΩ	0.3MΩ	1,4V	8,75mA	8,6V
0V	0,982kΩ	0.3MΩ	1V	7,12mA	7V

VGS	R1	R2	VDS	ID	VR1
-1V	0,982kΩ	0.3MΩ	17,2V	8,96mA	8,8V
-1V	0,982kΩ	0.3MΩ	14,25V	8,91mA	8,75V
-1V	0,982kΩ	0.3MΩ	11,4V	8,75mA	8,6V
-1V	0,982kΩ	0.3MΩ	6,7V	8,45mA	8,3V
-1V	0,982kΩ	0.3MΩ	2,7V	7,43mA	7,3V
-1V	0,982kΩ	0.3MΩ	1,7V	6,41mA	6,3V

VGS	R1	R2	VDS	ID	VR1
-2V	0,982kΩ	0.3MΩ	16,9V	5,19mA	5,1V
-2V	0,982kΩ	0.3MΩ	13,1V	4,99mA	4,9V
-2V	0,982kΩ	0.3MΩ	10,2V	4,89mA	4,8V
-2V	0,982kΩ	0.3MΩ	5,7V	4,37mA	4,3V
-2V	0,982kΩ	0.3MΩ	3,1V	3,97mA	3,9V
-2V	0,982kΩ	0.3MΩ	1,7V	3,36mA	3,3V