Circuitos lógicos

Faculdade Anhanguera de Santa Bárbara D’oeste

ATPS de Circuitos Elétricos - Relatório da etapa 1

Curso de Engenharia de Controle e Automação

Santa Bárbara D’oeste

2012

Faculdade Anhanguera de Santa Bárbara D’oeste

ATPS de Circuitos Elétricos - Relatório da etapa 1

Curso de Engenharia de Controle e Automação

Santa Bárbara D’oeste

2012

SUMÁRIO

1. INTRODUÇÃO TEÓRICA 4

Histórico. 4

Resistência e resistividade elétrica. 4

Resistores. 5

Dimensionamento. 6

2. METODOLOGIA 7

3. CONCLUSÃO 7

4. BIBLIOGRAFIA 8

1. INTRODUÇÃO TEÓRICA

Este trabalho aborda os aspectos teóricos e práticos da eletricidade relacionados à lei de Ohm e a propriedade da resistência elétrica.

Histórico.

George Simon Ohm foi um físico e matemático alemão nascido em 1789. Desenvolveu suas teorias sobre condução elétrica e resistividade entre 1826 e 1827, mas esses trabalhos não tiveram o devido reconhecimento na época, sendo que o valor da lei de Ohm para a ciência foi reconhecido por volta de 1841.

A lei de Ohm afirma que a corrente que atravessa um dispositivo é sempre V: tensão elétrica em volts (V).

i: corrente elétrica em ampéres (A).

Essa lei, contudo, não se aplica a todos os materiais. Alguns materiais, como os semicondutores (ex: silício e germânio), apresentam diferentes valores de resistência para determinados valores e polaridades de tensão.

Resistência e resistividade elétrica.

Em geral os materiais apresentam uma oposição ao fluxo de cargas elétricas que tendem a ocorrer quando submetidos a uma diferença de potencial elétrico.

Resistência elétrica é então a medida da oposição que determinado dispositivo apresenta à passagem da corrente elétrica quando submetido a uma diferença de potencial.

A resistência de determinado dispositivo depende não só do material do qual é constituído, mas também do seu comprimento l e da área A da sua seção transversal. Expressando matematicamente essa relação temos que:

R=ρlA

Onde:

R: resistência elétrica em ohms (Ω).

ρ: resistividade do material em ohms-metro (Ω.m). Ver quadro 1.

l: comprimento do dispositivo em metros (m).

A: área da seção transversal do dispositivo em metros quadrados (m2).