O Funcionamentos de um transistor de junção bipolar
Por: thiagotos • 21/4/2015 • Exam • 652 Palavras (3 Páginas) • 349 Visualizações
[pic 1]
Laboratório de Eletrônica Analógica e Digital 1
Prof. Silvio Szafir
Experiência
Transistor operando como comutador (chave)
Thiago Oliveira dos Santos RGM 121322-9
SUMÁRIO
1. INTRODUÇÃO.
1.1. Funcionamentos de um transistor de junção bipolar.
2. OBJETIVO.
3. MATERIAIS UTILIZADOS.
4. RESULTADOS EXPERIMENTAIS. 5. CONCLUSÃO.
6. BIBLIOGRAFIA.
1. INTRODUÇÃO
Breve histórico
Ao lado dos diodos, os dispositivos semicondutores mais populares são os transistores de junção bipolar.
Em uma tarde de 23 de dezembro de 1947, Walter H. Brattain e John Bardeen demonstraram a ação de amplificação do primeiro transistor nos laboratórios da Bell Telephone Laboratories.
O primeiro transistor foi chamado de transistor de ponto de contato, o antecessor ao transistor de junção bipolar inventado por Schockley.
O transistor deu origem a muitas outras invenções, inclusive os circuitos integrados (CIs), pequenos dispositivos que possuem milhares de transistores.
1.1 Funcionamentos de um transistor de junção bipolar
O Transistor de Junção Bipolar é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transistor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a Corrente é produzida apenas por um único tipo de Portador de Cargas (Elétrons ou Lacunas), no TJB (BJT) a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (Elétrons e Lacunas), daí a origem do nome Bipolar.
Existem dois Tipos de categorias, npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regiões n separadas por uma Região p. O Tipo pnp consiste em duas Regiões p separadas por uma Região n.
2. OBJETIVOS
Observar o comportamento, utilidades e a importância de um transistor em um circuito.
3. MATERIAIS UTILIZADOS
1 fonte variável
1 gerador de sinais (funções)
1 osciloscópio
1 multímetro digital (com teste de transistores: "hFE")
1 matriz de contatos (protoboard)
1 transistor BC548B ou equivalente
1 relê 12V (com respectivos fios/ligações para a conexão na protoboard)
3 LEDs
1 CI ULN2003
- Resistores diversos:
1 resistor 470 Ohm / 1/4 W
1 resistor 1000 (1k ) Ohm / 1/4 W
1 resistor 4700 (4k7) Ohm / 1/4 W
1 resistor 5600 (5k6) Ohm / 1/4 W
- cabos diversos (com plug banana, garra jacaré etc)
- fio rígido (cabinhos) para matriz de contatos (protoboard)
4. RESULTADOS EXPERIMENTAIS
1ª Montagem: Monitoração do transistor como chave comutadora através de LED
A primeira montagem do transistor como chave comutadora é a apresentada na figura a seguir:
Figura: Circuito do primeiro experimento
[pic 2] [pic 3] [pic 4]
Tabela Verdade
Quando a chave está na posição 1, o transistor está em saturação Quando a chave está na posição 2, o transistor esta em corte | |||
P | Q | R | S |
0 | 0 | 0 | 1 |
0 | 0 | 1 | 1 |
0 | 1 | 0 | 1 |
0 | 1 | 1 | 1 |
1 | 0 | 0 | 0 |
1 | 0 | 1 | 0 |
1 | 1 | 0 | 0 |
1 | 1 | 1 | 1 |
2° Montagem
Acionamento do relê utilizando o transistor BC548B
...