Relatório de Laboratório de Eletrônica básica B
Por: karina jorge lucas ramos • 11/5/2018 • Trabalho acadêmico • 1.122 Palavras (5 Páginas) • 245 Visualizações
Relatório de Laboratório de
Eletrônica básica B
Transistor de Efeito de Campo
Relatório de Laboratório Eletrônica Básica B entregue ao Profª Ricardo Da Silva Braga referente à experiência com transistor de efeito de campo.
Equipe:
Caique Bervint RA: 16523920
Rômulo Ricardo Batista Arantes RA: 14664452
Victor Lucas Ramos RA: 16460388
Campinas,07 de Novembro de 2017.
Sumário
Introdução 3
Objetivo 3
Procedimento experimental 3
Observações 5
Análise da equação de schokley 5
Utilizando os dados do Pspice 6
Utilizando os dados da Bancada 7
Simulação do circuito 2 9
Considerações finais 10
Referências..................................................................................................................................11
Introdução
No presente relatório, tivemos a oportunidade de estudar o comportamento do transistor de efeito de campo, obtendo as suas formas de ondas características por meio de software, provando ainda a veracidade da equação de Schokley através dos dados obtidos em bancada e em simulação.
Até o presente momento, havíamos estudados os TBJs,(Transistor Bipolar de Junção) que tinha um ganho controlado por corrente (Ic=B*Ib). No entanto, o transistor de efeito de campo permite o controle da sua corrente no dreno por meio da variação da tensão entre os seus terminais do Gate e Source(Vgs).
Objetivo
O objetivo central dessa experiencia de laboratório consiste em nos fazer comprovar a veracidade da equação de Schokley que vimos durante as aulas teóricas.
Procedimento experimental
Inicialmente, montamos o circuito da figura 1 usando o software Pspice, de forma a fazer uma varredura da corrente no dreno conforme vamos variando a tensão Vgs. Esses dados foram capturados pelo recurso IPRINT disponível pelo software, o que nos permite analisar os dados qualitativamente.
[pic 2]
[pic 3]
[pic 4][pic 5]
Após realizar está simulação e montar o mesmo circuito em bancada, obtivemos os seguintes dados.
[pic 6][pic 7]
Observações
Analisando os dados da figura 3-tabela1, observa-se conforme variamos a tensão VGs de -4V até -2,8V a corrente medida com o multímetro sobre o dreno resultou em zero, uma vez que o fundo de escala do multímetro disponível em nossa bancada era de 4 casas, medindo miliampéres. Por este motivo, se tivéssemos um multímetro com maior precisão, provavelmente obteríamos valores mais próximos daqueles que obtivemos pelo software Pspice.
Análise da equação de schokley
[pic 8]
[pic 9]
Analisando a equação acima, nota-se que ela se comporta como uma função linear da forma y=ax+b. Desta forma, é possível obter dados importantes como a corrente Idss e Vp graficamente, usando o método dos mínimos quadrados.
A partir do gráfico da figura 2, é possível obter uma reta, fazendo [pic 10]
[pic 11]
[pic 12]
Desta forma, fazendo-se aproximações, obtemos o coeficiente angular e linear da reta, o que nos resulta nos valores de IDSS e VP do transistor.
No entanto, para obter estes valores, realizamos o método dos mínimos quadrados usando o Excel.
Utilizando os dados do Pspice
[pic 13]
[pic 14]
Como vimos anteriormente que:
[pic 15]
E:
[pic 16]
Podemos concluir que:
[pic 17]
[pic 18]
Logo:
[pic 19]
[pic 20]
Portanto, obtivemos que:
VP=3,4 ±0,4V
IDSS=9±3mA
Utilizando os dados da Bancada
[pic 21][pic 22]
Analisando ambos os dados, vimos certa discrepância nos valores obtidos em Vp e Idss do transistor. Contudo, sabemos que há vários fatores externos que contribuem para a infidelidade dos valores simulados e práticos.
Quando simulamos um circuito utilizando determinado componente, estamos considerando que o mesmo se comporta como se fosse ideal, ou seja, a teoria se condiz com os valores simulados. Todavia, na bancada, estamos sujeitos a problemas nos cabos e conexões que podem causar perca de milésimos de corrente, fontes e gerador de funções medindo valores diferentes no multímetro, componentes sujeitos ao calor, entre outros.
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