Relatório de aplicações de diodos semicondutores, utlização dos Circuit Maker e circuitos retifcadores.

ANHANGUERA - CENTRO UNIVERSITÁRIO DE SANTO ANDRÉ

TECNOLOGIA MECATRÔNICA INDUSTRIAL

ADENILSON DA SILVA NAZARÉ -8206960377

ARIANY CAROLINE DOS SANTOS VIDOTTO – 1299266292

EDENILSON MARIANO CARVALHO – 7093584202

ELIOENAI MARTINES - 9089476046

LUCAS SANTOS OLIVEIRA – 8405152705

MAICON GOMES FERRAZ – 6277294881

PAULO CÉSAR DE ALMEIDA – 8820358933

VINICIUS SEPPELFELT – 8828397330

   ELETRÔNICA BASICA:

ATIVIDADE PRÁTICAS SUPERVISIONADAS - ATPS

SANTO ANDRÉ-SP

2015

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ADENILSON DA SILVA NAZARÉ -8206960377

ARIANY CAROLINE DOS SANTOS VIDOTTO – 1299266292

EDENILSON MARIANO CARVALHO – 7093584202

ELIOENAI MARTINES - 9089476046

LUCAS SANTOS OLIVEIRA – 8405152705

MAICON GOMES FERRAZ – 6277294881

PAULO CÉSAR DE ALMEIDA – 8820358933

VINICIUS SEPPELFELT – 8828397330

ELETRÔNICA BASICA:

ATIVIDADE PRÁTICAS SUPERVISIONADAS - ATPS

Relatório de aplicações de diodos semicondutores, utlização dos Circuit Maker e circuitos retifcadores.

        Orientador: Professor  Paulo Cuestas.  

SANTO ANDRÉ-SP

2015

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RESUMO

Materiais semicondutores são à base de todos os dispositivos eletrônicos. Um semicondutor pode ter sua condutividade controlada por meio da adição de átomos de outros materiais, em um processo chamado de dopagem. Em geral, os dopantes são inseridos em camadas de cristal semicondutor e, assim, diferentes dispositivos podem ser construídos dispondo-se adequadamente as camadas com diferentes dopantes.

Um diodo semicondutor consiste numa junção de uma camada de semicondutor tipo n com outra camada de semicondutor tipo p. Num semicondutor tipo n, os portadores de carga (ou seja, as partículas que participam da condução elétrica) são elétrons livres, enquanto, num semicondutor tipo p, são buracos livres, de carga positiva. Em semicondutores dopados, os elétrons e os buracos são provenientes dos átomos dopantes. Na junção de um material tipo n com um tipo p, os elétrons próximos à junção difundem na região n para a p, enquanto os buracos difundem no buraco oposto. Quando esses elétrons e buracos se encontram, eles recombinam-se, deixando, na interface, uma região com íons positivos e negativos dos dopantes. Essa região é desprovida de portadores de carga e é chamada região de depleção. Os íons criam um campo elétrico, nessa região, que impede a continuidade da difusão de elétrons e de buracos.

Ao ser conectado a uma fonte de força eletromotriz, uma junção p-n permite o fluxo de corrente apenas em um sentido (da região p para a região n). Considere a situação em que um diodo está conectado a uma fonte de forma que a região tipo p está em um potencial mais alto que a tipo n. Essa configuração é chamada de polarização direta. A fonte, continuamente, injeta buracos (na região p). Nessa situação, o campo elétrico da fonte tem sentido oposto ao campo dos íons na região de depleção. Essa região, então, estreita-se, facilitando o fluxo te cargas através da interface.

Por outro lado, diz-se que um diodo está com polarização reversa quando a região tipo p está em um potencial menor que a tipo n. Nesse caso, a região de depleção alarga-se, reduzindo, então, a corrente através do diodo .

Palavras-Chave: Semicondutores. Diodos. Dispositivos Eletronicos.

ABSTRACT

Semiconductor Materials are a base of All Electronic Devices. A semiconductor can your have controlled conductivity by adding atoms of other materials, um process called doping. In general, dopants are added in crystal semiconductor layers and thus different devices may be constructed by forming layers with different adequately as dopants.

A semiconductor diode consists of adding a layer of n-type semiconductor with another p-type semiconductor layer. A semiconductor n-type Cargo Carriers (Wheter or, as particles the part of the Electric Drive) are free electrons, while a p-type semiconductor, holes are free, positively charged. Semiconductor Dopants, Electrons and Holes the São from the doping atoms. In material hum Junction type n with hum p-type Electrons Near-Junction spread in the region n ap Pará, while os Holes diffuse any hole opposite. When i electrons and holes are, they recombine, leaving the interface, a region with Positive and Negative ions of doping. This Region E devoid of load carriers and E Call depletion region. Ions os create um electric field in this region, que prevent the continued diffusion of electrons and holes.

To Be Connected to a source of electromotive force, a pn junction allows the current to flow in only one direction (the region p Pará Region N). Consider a situation in what hum diode is connected to a source so the Region p-type IS higher potential hum what a type n. This configuration And Direct polarization call. The Source continuously injects holes (in the Region p). In this situation, the electric field of the source have sense of the opposite field Na depletion region. This Region, then Narrow up, facilitating the flow you loads through the interface.

By Side Other, It is said that hum diodes is with reverse bias when Region p-type IS a lesser potential small and a type n. In this case, depletion region extends up, reducing a then, the current through do diode.

Keywords: Semicondutors.Diodes. Eletronic Devices.

LISTA DE ILUSTRAÇÕES

FIGURA 1 – Diodo Retificador        07

FIGURA 2 – Interface do Circuit Maker        08

FIGURA 3 – Retificador de meia onda        10

FIGURA 4 – Retificador de onda completa        11

FIGURA 5 – Osciloscópio        12

FIGURA 6 – Ponte Retificadora        13