A Eletrônica Digital

UNIVERSIDADE TECNOLÓGICA FEDERAL DO PARANÁ DEPARTAMENTO DE COMPUTAÇÃO

CURSO DE ENGENHARIA DE COMPUTAÇÃO

ÁLVARO PEDROSO QUEIROZ – RA 1913255

CARLOS VINICIUS RODRIGUES GONÇALVES – RA 1914723

GABRIEL SANA FERREIRA DA SILVA – RA 1914766

ISABELA NUNES CAETANO – RA 1914774

LEONARDO DE SOUZA MATEUS – RA 1914782

Laboratório de Eletrônica Geral 2

Prática 3

Turma C61

Cornélio Procópio – PR

INTRODUÇÃO

O transistor de efeito de campo (JFET) usa materiais portadores de carga colocados perpendicularmente e em contato direto com seu canal para que se possa controlar a passagem de corrente elétrica.

Sua estrutura é composta por uma barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), deixando um canal estreito do primeiro material para controlar a corrente, seus terminais são compostos por gate, dreno e source, sendo análogos a base, coletor e emissor no TBJ respectivamente.

Para o seu princípio de funcionamento, aplica-se uma tensão no gate, na qual induz um canal que permite circulação de corrente entre os terminais dreno e source.

Sendo assim, é possível utilizá-lo como amplificador, assim como o TBJ, sendo que há um ganho menor, porem possui menor valor de impedância de entrada e não tem dependência de β.

OBJETIVO

Observar as tensões, o ganho e o funcionamento de um amplificador de tensão em duas etapas utilizando transistor de efeito de campo (JFET) e transistor bipolar de junção (TBJ).

MATERIAIS E MÉTODOS

Materiais:

• 3 Resistores de 10kΩ;
• 2 Resistores de 1kΩ;
• Resistor de 2,2MΩ;
• Resistor de 1,2kΩ;
• Resistor de 220Ω;
• Resistor de 2,2kΩ;
• Resistor de 3,6kΩ;
• 2 Capacitores de 100nF;
• Capacitor de 16µF;
• Capacitor de 390nF;
• Capacitor de 8,6µF;
• Transistor BC337;
• JFET BF244;
• Multímetro;
• Osciloscópio;
• Protoboard;
• Gerador de onda senoidal;
• Jumper;
• Cabos;

Métodos:

 Montou-se o circuito na protoboard, conforme a figura 1:

[pic 1]

Figura 1- Amplificador de 2 Estágios, com VCC = 15V e VS=100mVpp

Logo após, utilizando o multímetro, foi se medido o valor das tensões VB, VC, VE e VCE no transistor bipolar de junção e VG, VS, VD, VDS no JFET. Depois, foi realizado a simulação no software Proteus, a fim de obter os resultados teóricos.

RESULTADOS

Ao realizar as medidas, obteve-se os seguintes valores:

Tabela 1 - Resultados das medidas

VG	VS	VD	VDS	VB	VE	VC	VCE
4,8mV	12V	0,5V	11,8V	2,67V	2,05V	7,36V	5,31V

Depois, foi simulado o circuito no software Proteus, obtendo os seguintes resultados:

[pic 2]

Figura 2 - Simulação no software Proteus

VD – 12,2V

VS – 0,52V

VG – 4,34mV

VDS – 11,7V

VB – 2,68V

VC –8,45V

VE – 2,01V

VCE – 5,45V

Assim, foi conferido os formatos de onda pelo osciloscópio, sendo o CH-A a entrada, o CH-B o gate do JFET, o CH-C a base do TBJ e CH-D a carga R9(saída):

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