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CONDUTORES DE ENERGIA

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Por:   •  30/10/2014  •  1.021 Palavras (5 Páginas)  •  431 Visualizações

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1)O que caracteriza o material bom condutor é o fato de os elétrons de valência (por exemplo, o cobre possui um elétron na última camada) estarem fracamente ligados ao átomo, podendo ser facilmente deslocados do mesmo. os materiais isolantes devem corresponder aos materiais que apresentam os elétrons de valência rigidamente ligados aos seus átomos. Entre os próprios elementos simples, existem vários que apresentam os elétrons de valência rigidamente ligados aos átomos.

2)consiste em transformar átomos de carga neutra em seus respectivos íons. A ionização é o ganho ou a perda de elétrons por um átomo, A perda de elétrons, que é o processo mais comum nos meios ambiente astrofísicos, converte um átomo em um ion positivamente carregado. O ganho de elétrons por um átomo o converte em um íon negativamente carregado.

3) Condutores, são materiais que possuem uma grande quantidade de elétrons livres nas camadas eletrônicas de seus átomos. Os isolantes são materiais que seus elétrons são fortemente presos em suas órbitas ao redor dos átomos, impedindo assim que eles escapem de seus lugares para formar corrente! Semicondutores são materiais que se encontram bem no meio entre ser um condutor e um isolante, ou seja; ele não servem como bons condutores, nem como isolantes. Esses materiais são os mais especiais, pois com uma impureza que contamine eles podem se tornar condutores, ou dependendo, viram isolantes

4) A estrutura cristalina de um sólido é a designação dada ao conjunto de propriedades que resultam da forma como estão espacialmente ordenados os átomos ou moléculas que o constituem. A ligação covalente é um tipo de ligação química caracterizada pelo compartilhamento de um ou mais pares de elétrons entre átomos, causando uma atração mútua entre eles, que mantêm amolécula resultante unida.

5) Semicondutor intrínseco ou puro é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa.

6) Em semicondutor puro, sem impurezas, chamado de semicondutor intrínseco, o número de elétrons e de lacunas sempre será igual, já que os dois são gerados (termicamente) aos pares.

• 7) As impurezas doadoras fornecem elétrons em excesso que, por estarem essencialmente livres, são os principais portadores da corrente elétrica. As impurezas aceitadoras geram “buracos”, onde elétrons podem se alojar, propiciando também a condução elétrica.

8) Semicondutores extrínsecos ou impuro são semicondutores intrínsecos onde introduzimos uma impureza para controlarmos as características elétricas do semicondutor.

9) no material tipo p As lacunas livres são chamadAs de portadores majoritários.

10) Quando introduzimos um átomo de uma impureza trivalente este possui somente três elétrons para completar as ligações covalentes, logo uma das ligações covalentes do silício ficará incompleta.

11) Quatro dos seus elétrons serão compartilhados com quatro átomos vizinhos de Si enquanto o quinto elétron poderá se tornar livre em temperaturas muito baixas sem que seja gerado lacuna.

12) Ao realizar a dopagem do material semicondutor (Silício ou Germânio) através da introdução de impurezas com três elétrons na camada de valência como o Alumínio, o Índio, o Boro ou o Gálio, temos a formação de ligação covalente entre o material semicondutor e a impureza. Ao introduzir-mos um elemento deste tipo, numa das ligações faltará um elétron, pois o elemento contribuiu com apenas três elétrons. Esta falta de elétrons comporta-se como um material apto a receber elétrons (material com carga positiva), sendo assim este pode receber um elétron de outra união.

13) É obtida conectando, de forma adequada, material P ao material N. Como existe uma diferença de concentração de portadores de ambos os lados da junção, inicialmente haverá uma difusão de elétrons livres do lado N indo para

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