Transistores
Trabalho acadêmico: Transistores. Pesquise 862.000+ trabalhos acadêmicosPor: limalves • 14/9/2013 • Trabalho acadêmico • 3.804 Palavras (16 Páginas) • 1.298 Visualizações
RESUMO
Transistores
A invenção do transistor foi um marco para a engenharia elétrica e eletrônica, assim como para toda humanidade. Com o desenvolvimento dos transistores foi possível à construção de equipamentos eletrônicos verdadeiramente portáteis funcionando apenas com pilhas ou baterias. Além disso, o reduzido volume destes componentes a possibilidade de associação para implementar funções analógicas ou digitais, das mais diversas, proporcionou um desenvolvimento sem igual na indústria de equipamentos eletroeletrônicos.
Figura 1-Transistores
Por tudo isso, o contato com estes dispositivos é essencial para o estudante de engenharia, além do que, a grande maioria dos circuitos eletrônicos emprega um ou milhares destes componentes.
Palavras-Chaves: transistor, analógicas ou digitais, engenharia elétrica e eletrônica.
SUMÁRIO
1.Introdução.......................................................................................................................4 1.1. Transistor de efeito de campo. 4
1.2.O JFET .4
2.0.Polarização ...................................................................................................................5
2.1.Polarização Convencional ........................................................................................5
3.0.Equivalência com TJB ................................................................................................7
4.0.Funcionamento do JFET ..........................................................................................8
5.0.Curva de Ativação Dreno ......................................................................................... 9
5.1.Caracteristicas de Transferência ............................................................................. 10
6.0.Principais Aplicaçoes do JFET em Eletronica ........................................................ 13
7.0.MOSFET .......................................................................................................... 13
8.0.Polaridade do Componente ...................................................................................... 15
8.1.Polarização de MOSFETS ................ 15
9.0. Simbologia Esquemática MOSFET ......................16
10. Diferença do JFET ....................................................................................17
11. Conclusão ...................18
12. Bibliografia 19
1.INTRODUÇÃO
1.1.Transistor de efeito de campo.
FET é o acrônimo em inglês de Field Effect Transistor, Transistor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através do efeito de um campo elétrico na junção. Este tipo de transitor tem muitas aplicações na área de amplificadores (operando na area linear), em chaves (operando fora da area linear) ou em controle de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal caracteristica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações,além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transistores bipolares.
Uma das características mais importantes do JFET é a alta impedância de entrada. Esta característica é muito relevante no projeto de amplificadores.
Por outro lado o BJT apresenta maior sensibilidade às variações do sinal
aplicado. Assim, as variações de corrente de saída são tipicamente maiores para os BJTs do que para os FETs, para uma mesma variação do sinal de entrada, por isso que os ganhos de tensão dos amplificadores adquiridos com a utilização dos BJTs são superiores que aos ganhos de tensão adquiridos com a utilização de amplificadores com FETs. Em geral os FETs são mais estáveis com relação a temperatura do que os BJTs.
1.2.O JFET
A construção de um JFET na prática é bastante complicada, pois é necessária.
uma tecnologia de dopagem nos dois lados de um substrato de semicondutor tipo P ou
tipo N.
Figura-2
O JFET é formado por um estreito canal semicondutor tipo P ou N em cujas
extremidades são feitos contatos denominados de Dreno(D), de onde as cargas
elétricas saem, e Fonte(S), por onde as cargas elétricas entram. O terminal Gate (G) é
que faz o controle da passagem das cargas.
2.0.Polarização
Um FET para uso geral apresenta três terminais: porta (gate), fonte (source) e dreno (drain),que permitem seis formas de polarização,sendo três as mais usadas: fonte comum (fonte ligado
...