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Programas Em Linguagem C Para

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Por:   •  25/9/2014  •  2.490 Palavras (10 Páginas)  •  491 Visualizações

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Universidade Anhanguera

Unidade Norte Bauru/SP

Curso: Ciencia da Computação

Disciplina: Construção de Algoritmos

Prof: Alex Setolin

ATPSI

etapa4

Programas em Linguagem C para

Calculo de Grandezas Eletricas

Participantes:

Nome: Cleiton Rodrigo Corrêa – RA: 7204577863

Nome: Mauro Barros Feitosa – RA 7448666825

Nome: Adson C.M. Carvalho - RA: 6619346305

Nome: Guilherme Figueiredo Dellasta RA - 6823487897

Data de Entrega

Bauru, 03 de Dezembro de 2013

ETAPA № 4

2° Relatório

Dispositivos Semi-

Condutores

Diodos e Transistores

Capitulos:

• Capítulo 1: Introdução

• Capítulo 2: Algoritmos

• Capítulo 3: Programas – Códigos

• Capítulo 4: Apresentação dos Programas

Capitulo 1

INTRDUÇÃO

Diodos e Transistores

Diodos

Diodo semicondutor é um dispositivo ou componente eletrônico composto de cristal

semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas

por diferentes gases durante sua formação, que causa a polarização de cada uma das

extremidades.

É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor, usado como retificador de

corrente elétrica entre outras aplicações. Possui uma queda de tensão de, aproximadamente,

0,3 V (germânio) e 0,7 V (silício).

Comportamento em circuitos

O diodo é um componente elétrico que permite que a corrente atravesse-o num sentido com

muito mais facilidade do que no outro. O tipo mais comum de diodo é o diodo semicondutor,

no entanto, existem outras tecnologias de diodo. Diodos semicondutores são simbolizados em

diagramas esquemáticos como na figura abaixo. O termo "diodo" é habitualmente

reservadodispositivos para sinais baixos, com correntes iguais ou menores a 1A3 .

Quando colocado em um simples circuito bateria-lâmpada, o diodo permite ou impede

corrente através da lâmpada, dependendo da polaridade da tensão aplicada, como nas duas

figuras abaixo.

Na imagem da esquerda o diodo está diretamente polarizado, há corrente e a lâmpada fica

acesa. Na imagem da direita o diodo está inversamente polarizado, não há corrente, logo a

lâmpada fica apagada.

O diodo funciona como uma chave de acionamento automático (fechada quando o diodo está

diretamente polarizado e aberta quando o diodo está inversamente polarizado). A diferença

mais substancial é que, quando diretamente polarizado, há uma queda de tensão no diodo

muito maior do que aquela que geralmente se observa em chaves mecânicas (no caso do diodo

de silício, 0,7 V). Assim, uma fonte de tensão de 10 V, polarizando diretamente um diodo em

série com uma resistência, faz com que haja uma queda de tensão de 9,3 V na resistência, pois

0,7 V ficam no diodo. Na polarização inversa, acontece o seguinte: o diodo faz papel de uma

chave aberta, já que não circula corrente, não haverá tensão no resistor, a tensão fica toda

retida no diodo, ou seja, nos terminais do diodo há uma tensão de 10 V.

A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos retificadores de corrente, é

transformar corrente alternada em corrente contínua pulsante. Como no semiciclo negativo de

uma corrente alternada o diodo faz a função de uma chave aberta, não passa corrente elétrica

no circuito (considerando o “sentido convencional de corrente”, do “positivo” para o

“negativo”). A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos de corrente contínua,

é controlar o fluxo da corrente, permitindo que a corrente elétrica circule apenas em um

sentido.

A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N

A dopagem no diodo4 é feita pela introdução de elementos dentro de cristais tetravalentes,

normalmente feitos de silício e germânio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes,

obtêm-se átomos com sete elétrons na camada de valência, que necessitam de mais um elétron

para a neutralização (cristal P). Para a formação do cristal P, utiliza-se principalmente o

elemento índio. Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, obtêm-se

átomos neutralizados (com oito elétrons na camada de valência) e um elétron excedente

(cristal N).

Para a formação do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento Fósforo. Quanto maior a

intensidade da dopagem, maior a condutibilidade dos cristais, pois suas estruturas

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