Programas Em Linguagem C Para
Pesquisas Acadêmicas: Programas Em Linguagem C Para. Pesquise 862.000+ trabalhos acadêmicosPor: luizzz88 • 25/9/2014 • 2.490 Palavras (10 Páginas) • 491 Visualizações
Universidade Anhanguera
Unidade Norte Bauru/SP
Curso: Ciencia da Computação
Disciplina: Construção de Algoritmos
Prof: Alex Setolin
ATPSI
etapa4
Programas em Linguagem C para
Calculo de Grandezas Eletricas
Participantes:
Nome: Cleiton Rodrigo Corrêa – RA: 7204577863
Nome: Mauro Barros Feitosa – RA 7448666825
Nome: Adson C.M. Carvalho - RA: 6619346305
Nome: Guilherme Figueiredo Dellasta RA - 6823487897
Data de Entrega
Bauru, 03 de Dezembro de 2013
ETAPA № 4
2° Relatório
Dispositivos Semi-
Condutores
Diodos e Transistores
Capitulos:
• Capítulo 1: Introdução
• Capítulo 2: Algoritmos
• Capítulo 3: Programas – Códigos
• Capítulo 4: Apresentação dos Programas
Capitulo 1
INTRDUÇÃO
Diodos e Transistores
Diodos
Diodo semicondutor é um dispositivo ou componente eletrônico composto de cristal
semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas
por diferentes gases durante sua formação, que causa a polarização de cada uma das
extremidades.
É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor, usado como retificador de
corrente elétrica entre outras aplicações. Possui uma queda de tensão de, aproximadamente,
0,3 V (germânio) e 0,7 V (silício).
Comportamento em circuitos
O diodo é um componente elétrico que permite que a corrente atravesse-o num sentido com
muito mais facilidade do que no outro. O tipo mais comum de diodo é o diodo semicondutor,
no entanto, existem outras tecnologias de diodo. Diodos semicondutores são simbolizados em
diagramas esquemáticos como na figura abaixo. O termo "diodo" é habitualmente
reservadodispositivos para sinais baixos, com correntes iguais ou menores a 1A3 .
Quando colocado em um simples circuito bateria-lâmpada, o diodo permite ou impede
corrente através da lâmpada, dependendo da polaridade da tensão aplicada, como nas duas
figuras abaixo.
Na imagem da esquerda o diodo está diretamente polarizado, há corrente e a lâmpada fica
acesa. Na imagem da direita o diodo está inversamente polarizado, não há corrente, logo a
lâmpada fica apagada.
O diodo funciona como uma chave de acionamento automático (fechada quando o diodo está
diretamente polarizado e aberta quando o diodo está inversamente polarizado). A diferença
mais substancial é que, quando diretamente polarizado, há uma queda de tensão no diodo
muito maior do que aquela que geralmente se observa em chaves mecânicas (no caso do diodo
de silício, 0,7 V). Assim, uma fonte de tensão de 10 V, polarizando diretamente um diodo em
série com uma resistência, faz com que haja uma queda de tensão de 9,3 V na resistência, pois
0,7 V ficam no diodo. Na polarização inversa, acontece o seguinte: o diodo faz papel de uma
chave aberta, já que não circula corrente, não haverá tensão no resistor, a tensão fica toda
retida no diodo, ou seja, nos terminais do diodo há uma tensão de 10 V.
A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos retificadores de corrente, é
transformar corrente alternada em corrente contínua pulsante. Como no semiciclo negativo de
uma corrente alternada o diodo faz a função de uma chave aberta, não passa corrente elétrica
no circuito (considerando o “sentido convencional de corrente”, do “positivo” para o
“negativo”). A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos de corrente contínua,
é controlar o fluxo da corrente, permitindo que a corrente elétrica circule apenas em um
sentido.
A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N
A dopagem no diodo4 é feita pela introdução de elementos dentro de cristais tetravalentes,
normalmente feitos de silício e germânio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes,
obtêm-se átomos com sete elétrons na camada de valência, que necessitam de mais um elétron
para a neutralização (cristal P). Para a formação do cristal P, utiliza-se principalmente o
elemento índio. Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, obtêm-se
átomos neutralizados (com oito elétrons na camada de valência) e um elétron excedente
(cristal N).
Para a formação do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento Fósforo. Quanto maior a
intensidade da dopagem, maior a condutibilidade dos cristais, pois suas estruturas
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