A próxima geração de Memórias e CPU’s

ReRam – A próxima geração de Memórias e CPU’s

By André Martins

ReRam – A próxima geração de Memórias e CPU’s

A HP e a Hynix Semicondutores anunciaram recentemente o inicio do desenvolvimento conjunto de uma tecnologia memristor chamada ReRAM, que consome um décimo da energia das memórias flash atuais atingindo mais de 100 vezes sua velocidade. Dentro de três anos, dispositivos ReRAM podem começar a substituir memórias de acesso randômico (RAM) e flash, além de, eventualmente, substituir também os processadores, dizem as companhias.

As duas empresas irão reunir os materiais e processos necessários para desenvolver comercialmente a tecnologia do memristor – que está sendo chamada de ReRAM (Resistive Random Access Memory, ou, memória resistiva de acesso randômico) – e a tecnologia será manufaturada nas fábricas Hynix.

Circuito microscópico com 17 memristores

Fonte: HP

O resultado, de acordo com a HP, será uma tecnologia que terá performance melhor que as atuais memórias flash encontradas em dispositivos como celulares e tocadores de música digital. A tecnologia também será 100 vezes mais rápida e irá consumir um décimo da energia.

“Isto vai mudar a industria das memórias,” disse Stan Williams, Diretor da HP e fundador do IQS Lab (Information and Quantum Systems Lab), em um vídeo no site da HP. “Isso vai nos permitir continuar escalando – em outras palavras, indo para densidades cada vez maiores – assim como a indústria fez com a memória flash, mas na verdade com um produto que tem a capacidade e a aptidão, nós todos acreditamos, de substituir os HD’s e memórias DRAM nos computadores.”

O memristor – contração de memory resistor, ou resistor memória – é visto como o quarto elemento básico dos circuitos na engenharia de chips, juntamente com resistores, capacitores e indutores. São chaves eletrônicas que medem nanômetros e, basicamente, funcionam como um resistor com memória: um componente eletrônico com dois terminais no qual a resistência (dV/dI) é proporcional à quantidade de carga que flui através do circuito. Quando a corrente flui em uma direção pelo dispositivo a resistência aumenta; quando a corrente flui na direção oposta, a resistência diminui. Assim que a corrente é interrompida o componente retém a ultima resistência registrada. Quando a carga volta a fluir novamente, a resistência do circuito será a mesma que era da ultima vez em que esteve ativa.

Estas características os tornam, de certa forma, semelhantes aos transistores usados para armazenar informações em memórias flash, mas consideravelmente menores: enquanto fabricantes de memória flash constroem componentes com 20 nanômetros de tamanho, os memresistores atuais da HP possuem 3 nanômetros – com potencial para diminuírem ainda mais.

Os memristores são produzidos pela HP a partir de um processo que coloca nano fios de metal paralelamente em um substrato, vestindo-os com uma camada de dióxido de titânio e colocando uma segunda camada de nano fios perpendicularmente à primeira camada. No local onde os fios se cruzam, um memristor é formado (ver figura 1). A HP espera que os primeiros dispositivos contendo memristores (daqui três anos) ofereçam algo em torno de 20GB por centímetro quadrado, o dobro da capacidade projetada para as memórias flash neste período.

Vale lembrar que, assim como outras tecnologias baseadas em silício, a memória flash está aproximando-se dos limites físicos do que é possível realizar em termos de miniaturização e que elas se desgastam após aproximadamente 100.000 ciclos de leitura e gravação (o que normalmente demora mais pra ocorrer que o ciclo de vida da maioria dos dispositivos que contém estas memórias). Testes de laboratório tem mostrado que os memristores podem lidar com cerca de um milhão de ciclos de leitura e gravação.

Mas é a característica de poder variar sua resistência baseado na carga através do dispositivo que torna os memristores únicos: isto os faz requerer menos energia para operar e poder reter informação mesmo sem energia. Além disso, são construídos a partir de óxidos de metal, como dióxido de titânio, ao invés do tradicional silício utilizado em processadores.

A idéia por trás do memristor foi abordada primeiramente em 1971 pelo professor Leon Chua na Universidade California Berkeley, na Inglaterra, quando, através de técnicas matemáticas, ele provou a existência de tal componente. Outros cientistas já haviam proposto relacionamentos de fluxo de carga não lineares fixos, mas a teoria de Chua introduziu generalidade ao tema.

Entrentando, apenas 35 anos após a prova matemática é que houve a prova prática: os pesquisadores da HP foram os primeiros que implementaram o memristor, mostrando sua existência no ano de 2006. Dois anos depois, em 2008, a revista Nature publicou a descoberta da companhia e, em 2009, engenheiros da HP mostraram que memristores poderiam ser empilhados, sugerindo que um chip poderia oferecer entre 4 a 8 vezes a quantidade de memória das tecnologias