DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
Por: wej71 • 16/3/2019 • Trabalho acadêmico • 1.498 Palavras (6 Páginas) • 148 Visualizações
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UNIVERSIDADE FEDERAL DA BAHIA
ESCOLA POLITÉCNICA
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
DIPOSITIVOS ELETRÔNICOS - ENG C41 SEMESTRE – 2017.1
PROFESSORA: ANA ISABELA ARAÚJO CUNHA
PLANO DE ENSINO
OBJETIVOS
O curso objetiva introduzir o estudante de engenharia elétrica no reconhecimento das propriedades dos principais dispositivos semicondutores e na análise de circuitos eletrônicos simples. Ao final do curso o estudante deverá estar apto a: identificar propriedades dos materiais semicondutores e os fenômenos de condução através de uma junção PN; aplicar modelos comportamentais DC e AC; compreender os conceitos de polarização e reta de carga; analisar e projetar circuitos eletrônicos aplicativos simples.
ESTRUTURA DO CURSO
O curso está dividido em diversos tópicos, detalhados no item a seguir (Programa da Disciplina). Ao longo do curso, os dispositivos semicondutores são inicialmente apresentados do ponto de vista estrutural; em seguida seu comportamento físico é descrito graficamente e modelado e, finalmente, o dispositivo é focalizado como elemento de circuito, dando-se ênfase a suas aplicações principais. Desta forma, o conteúdo da disciplina ganha um enfoque consistente com a área de engenharia e o perfil de profissionais que se deseja formar. As atividades experimentais a serem realizadas na disciplina Laboratório Integrado III contribuirão para a fixação deste conteúdo teórico e para a ampliação dos limites de compreensão do estudante. Fica a cargo do estudante a revisão de tópicos abordados nos pré-requisitos que porventura sejam aplicados na disciplina.
METODOLOGIA DE ENSINO
O curso será ministrado através de quatro horas semanais de aulas expositivas, alternando-se conteúdos teóricos e exercícios de aplicação, resolvidos em sala de aula e propostos aos alunos. O aprendizado se estende a períodos extra-classe que deverão ser utilizados para a leitura da bibliografia recomendada (item Bibliografia), para a resolução de exercícios e, eventualmente, para a execução de trabalhos em que será enfatizada a aplicação de ferramentas computacionais (“softwares” matemáticos e simuladores de circuitos) para a caracterização de componentes e para a análise e concepção de circuitos eletrônicos.
PROGRAMA DA DISCIPLINA
I) Apresentação do curso
II) Circuito Eletrônico Motivacional: Fonte Regulada de Tensão
II.1) Estrutura básica de fonte regulada
II.2) Característica volt-ampère de diodo retificador
II.3) Circuitos retificadores
II.4) Filtragem a capacitor
II.5) Característica volt-ampère de diodo Zener
II.6) Regulador de tensão simples a diodo Zener
II.7) Propriedades amplificadoras de transistor bipolar de junção
II.8) Regulador de tensão com transistores bipolares de junção
III) Teoria de Semicondutores
III.1) Semicondutores puros
III.2) Semicondutores dopados
III.3) Concentração de portadores de carga
III.4) Densidades de corrente
IV) Junção PN
IV.1) Estrutura
IV.2) Potencial da barreira
IV.3) Polarização da junção PN
IV.4) Corrente na junção PN
IV.5) Efeitos capacitivos na junção PN
V) Diodo Semicondutor Comum
V.1) Característica volt-ampère e modelos
V.2) Análise de circuitos com diodo - ponto de operação e reta de carga
V.3) Modelo para operação com pequenos sinais
V.4) Outras aplicações
VI) Diodo Zener
VI.1) Estrutura e característica
VI.2) Limitador de tensão a diodo Zener
VII) Outros Diodos
VII.1) Diodo Túnel
VII.2) Diodo Schottky
VII.3) Varactor
VII.4) Célula Solar
VII.5) Fotodiodo
VI.6) LED
VIII) Transistor Bipolar de Junção (TBJ)
VIII.1) Estrutura e condições de operação
VIII.2) Região ativa
VIII.3) Características volt-ampère e modelos
VIII.4) Circuitos discretos de polarização
IX) Algumas Aplicações Básicas de TBJ
IX.1) Fonte de Corrente
IX.2) Chave
IX.3) Multivibradores
X) Transistor de Efeito de Campo MOS (MOSFET)
X.1) Estrutura do MOSFET de enriquecimento
X.2) Regiões de Operação
X.3) Características volt-ampère e modelos
XI) Aplicações Básicas de MOSFET
X.1) Fonte de Corrente
IX.2) Carga Ativa
IX.3) Espelho de Corrente
IX.4) Chave
XII) Amplificadores Lineares de Pequenos Sinais
XII.1) Parâmetros característicos
XII.2) Acoplamento capacitivo
XII.3) Modelos de pequenos sinais
XII.4) Metodologia para a análise
XII.5) Células básicas de amplificadores de pequenos sinais a TBJ
XII.6) Retas de carga estática e dinâmica
XII.7) Células básicas de amplificadores de pequenos sinais a MOSFET
XIII) Outros Transistores
XIII.1) Variações de MOSFET
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