Os átomos compartilham seus elétrons com os átomos vizinhos

1)Quantos elétrons de valência tem um átomo de silício ou germânio?

D)4

2)Na ligação covalente:

C)Os átomos compartilham seus elétrons com os átomos vizinhos.

3)A barreira de potencial do diodo de Germânio e de silício respectivamente é?

B) 0,3V e 0,7V

4)Determine o número de espiras do secundário de um transformador projetado para reduzir a tensão de rede 110V para 12V eficazer, sabendo-se que ele possui 1000 espiras no enrolamento primário.

V1/V2=N1/N2 110V/12V=1OOO/N2=12x1000/110=109,09 espiras

Considere a figura abaixo, para as questões seguintes, que mostra um transformador com tensão no secundário de 25Vrms ligado aum retificador de onda completo em ponte(diodos de silício) com uma carga de 10ohm´s. Determine o que se pede:

5)A tensão de pico na saída do transformador vale:

V2rms=V2p/1,41=25x1,41=35,25V

6)A tensão média na carga,vale:

Vm=2xV2p/π=Vm=2x35,25=22,5V

7)A corrente média da carga vale:Im=Vm/RL

Im=22,5V/10Ω=Im=2,25A

8)As especificações do diodo:Icm≥=Im/2   Vbr≥V2p

Icm=2,25/2= Idm≥1,125A     Vbr≥35,4V

9)O que é corrente reversa?

É uma pequena corrente elétrica é chamada de corrente reversa, estando limitada aos portadores minoritários, ou seja ela não aumenta proporcionalmente a tensão reversa aplicada ao diodo, sendo considerada desprezível na grande maioria dos casos.

10)Em um diodo ideal , se aplicarmos diretamente sobre ele a tensão de 0,7V a corrente sera:

D)Tende a zero

Marque V ou F sobre o semicondutor extrínseco tipo P

11(V)É feito com a adição de impurezas trivalentes ao cristal semicondutor

12(F)Possui mais elétrons livres de lacunas

13(F)É um semicondutor puro com excesso de prótons

14(V)As lacunas são os principais portadores de carga nesse material

Marque V ou F sobre o semicondutor extrínseco tipo N

15(V)Os elétrons livres são os principais portadores  de carga nesse material

16(F)É feito com adição de impurezas tetravalentes ao cristal semicondutor

17(F)As impurezas ficam com 9 elétrons de valência

Considere o texto abaixo para próximas questões

Projetar uma fonte com tensão de entrada de 110Vrms/60Hz e tensão media de saída de 5V com ripple de 0,1V para alimentar um circuito que tenha resistência de entrada de 1000 ohms.

18)Tensão na carga:Vr=Vmf/f.RL.Vr=C=Vmf/f.RL.Vr

C=5/120x1000x0,1= C=4,17µF

19)Capacitor de filtro:C=Vmf/f.RL.Vr= C=Vmf/f.RL.C

C=5/120x1000x4,17= Cf=174µF

20)Corrente media na carga Imf=Vmf/RL  Imf=5/1000=Imf=5mA

21)Tensão de pico na cargaVrLp=Vmf+Vr/2

VrLp= 5+0,1/2= VrLp=5,05V

22)Tensão de pico no sencundário: V2p=VrLp+2.Vɤ

V2p=5,05+2.0,7= V2p=6,45V

23)Especificações dos diodos Idm≥=Imf/2 e Vbr≥Vp2

Idm= 5mA/2= Idm=2,5mA   Idm≥=2,5mA e Vbr≥= 6,45V

24)Tensão eficaz no secundário: V2rms= Vp2/1,41

V2rms= 6,45V/1,41= V2rms= 4,6V

25)Potência de trabalho do transformador :Pt= V2p.Imf

Pt=6,45V.5= Pt= 32,25mW