Os Exercicios de Eletrônica

LISTA 04 - EPRI13 - UNIFEI - 1ºSEM/2022

NOME: João Carlos Andrade de Melo Pires

1. São dispositivos semicondutores que podem operar como chaves e também como amplificadores de sinais. Costumam ser utilizados para realizar o chaveamento de circuitos eletrônicos.
2. TJB: Transistor de junção bipolar; JFET: Transistor de efeito de campo; MOSFET: Transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico.

1. TJB: Composto por três partes semicondutoras, base, coletor e emissor, separados por duas junções p-n; JFET: Composto por três partes semicondutoras, dreno, gate e fonte, separados por duas junções p-n; MOSFET: Composto por três partes semicondutoras, dreno, gate e fonte, separados por duas junções p-n.
2. TJB: Construção de chips; JFET: Amplificadores; MOSFET: Comutação e amplificação de sinais.

1. Significa que o emissor é conectado à referência (terra).
2. a) Ie, Ib, Ic.

1. Ie=Ib+Ic.
2. Ic=alpha*Ie.
3. Ic=beta*Ib.
4. beta=alpha/(1-alpha).
5. Ic=1,9A; Ie=2A.
6. beta=99. beta diminui e equivale a beta=49.

1. Um transistor polarizado é aquele cuja tensão aplicada em cada um dos terminais faz com que o mesmo opere normalmente. Transistor não polarizado é aquele cujos terminais não possuem qualquer tensão aplicada, ou é aplicada de forma errônea, sendo assim, o mesmo não opera de acordo com o esperado.
2. Significa que há uma barreira de potencial de modo que o fluxo de corrente é impedido.
3. a) Emissor: Elétrons fluem para dentro do transistor.

1. Base: elétrons se recombinam com as lacunas.
2. Coletor: Elétrons fluem para fora do transistor.

1. Emissor comum: Significa que o emissor é conectado à referência (terra); Base comum: Significa que a base é conectado à referência (terra): Coletor comum: Significa que o coletor é conectado à referência (terra).
2. Emissor comum, transistor npn:

[pic 1]

1. Ib=Vbe/Rb. A equação apresentada utiliza da primeira aproximação, a seguir será demonstrada a equação utilizando a segunda aproximação, Ib=(Vbb-0,7)/Rb.
2. Ib=20uA. Ib=13uA.
3. Vec=Vcc-Ic*Rc.

13. Ib=13uA. Ic=1,3mA. Vec=8,7V.

14. Ib=93uA. Ic=2,79mA. Vec=4,42V.

15. Região ativa: Transistor opera como amplificador; Região de saturação: Transistor opera como chave fechada; Região de corte: Transistor opera como chave aberta; Região de ruptura: Transistor opera além dos limites pré estabelecidos pelo fabricante e pode ser danificado. A região de saturação encontra-se em valores de tensão baixos onde a corrente varia proporcionalmente com o aumento da tensão Vce; A região de corte encontra-se em valores de corrente próximos ou iguais a zero independentemente da tensão Vce; A região de saturação encontra-se acima da região de corte e à direita da região de saturação; A região de ruptura encontra-se à direita do valor da tensão de ruptura.

16. 1-b, 2-a, 3-c, 4-a, 5-b, 6-b, 7-b, 8-b, 9-d, 10-b, 11-b, 12-d, 13-b, 14-a, 15-a, 16-b, 17-b, 18-d,

19-c, 20-a, 21-a, 22-a, 23-b, 24-d.

17. Ib=0,03mA.

18. Ganho=100.

19. Ic=4,5mA.

20. Ie=101,54mA.

21. Ib=19,8uA.

22. Ib=19,8uA.

23. Vce=11V.

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