Analise das demonstracões financeiras
Por: Lívia Oliveira • 5/10/2015 • Trabalho acadêmico • 525 Palavras (3 Páginas) • 460 Visualizações
PRÁTICA 2-CARACTÉRISTICAS DO DIODO ZENER
1-OBJETIVOS
O objetivo principal desta prática, é montar um circuito utilizando um Zener, medir tensão encontrada, e indicar os valores de corrente encontradas para cada um destes valores de resistores.
2-INFORMAÇÃO TEÓRICA
Os Diodos para pequenos sinais e diodos de Retificação nunca operam intencionalmente. Na zona de Disrupção (restabelecimento brusco de corrente elétrica, causando faíscas e intenso gasto da energia acumulada,ruptura,rompimento), porque isso poderia danificá-los.
O diodo Zener é diferente, trata-se de um diodo de Silício, que o fabricante otimizou para operar na zona de Disrupção . Ele é o componente essencial dos reguladores de tensão eletrônicos, que mantém a tensão da carga quase constante , apesar de haver grandes variações na tensão da rede de alimentação e na resistência de carga.
2.1-Características
- A figura a ,representa o símbolo de um Diodo Zener; A figura b, um símbolo alternativo.
- Em ambos os símbolos, as linhas assemelham-se a uma letra z,representativa de”zener”.
- Variando o nível de dopagem dos diodos de silício, os fabricantes produzem diodos zener com tensões de disrupção de 2V até mais de 1000V.
- Estes diodos podem operar em qualquer das três zonas de funcionamento : Direta, De fuga e de Disrupção.
[pic 1]
- A figura 2,representa a Característica I-U de um diodo de Zener.Na zona direta,o diodo começa a conduzir por volta de 0,7V, tal como um diodo de silício.
- Na zona de fugas (entre o zero e a disrupção), o diodo apenas tem uma pequena corrente inversa.
- Num diodo zener, a disrupção apresenta um joelho muito aguçado,seguido de um aumento da corrente quase na vertical.Nota-se que a tensão é quase constante,aproximadamente igual a Uz na maior parte da zona de disrupção.
[pic 2]Figura 2
2.2-Resistência do Zener
Na terceira aproximação de um diodo de silício, tensão direta do diodo é igual a tensão de joelho,mais a tensão adicional aos terminais da resistência de volume.
Analogamente, na zona de disrupção , a tensão inversa do diodo é igual a tensão adicional aos terminais da resistência de volume.
Na zona inversa,a resistÊncia de volume refere-se por resistência zener.Esta resistência é igual ao inverso do declive da característica da zona de disrupção,ou seja, quanto mais vertical for a zona de disrupção,menor será a resistência zener.
3-ESQUEMÁTICO DO CIRCUITO
OBS: Cuidado ao ligar o diodo Zener, pois ele é relativamente sensível e fácil de queimar quando manipulado/ligado erroinamente.
4-ESPECIFICAÇÕES E MATERIAL UTILIZADO
- 1 Osciloscópio
- 1 Gerador de função
- 1 Multímetro digital
- 1 fonte de Alimentação
- 1 Protoboard
- 1 diodo zener 1N754A (ou equivalente desde que Vz=6.8 V e Iz_máx> 15 mA)
- 2 Resistências 1 kOHM
- 1 Resistência de 10 K OHM
- 1 Resistência de 100 OHM
5-ANÁLISE COMPUTACIONAL
Conforme as informações apresentadas, antes de realizar a montagem experimental é necessário:
a)Determinar o valor das resistências
b)Simular o circuito no ORCAD referente ao procedimento, montar o circuito utilizando um Zener 1N754 ou equivalente.
c)Medir tensão dos resistores R, considerando os seguintes casos:
R=10kOHM, 1Kohm ,100 OHM.
d)Indicar os valores de corrente para cada um destes resistores.
e)Comparar com os valores teóricos calculados.
6- PROCEDIMENTO
Construa a curva característica do diodo Zener.
1)Sem resistor
VF | 0,3V | 0,6V | 1V | 2V | 3V | 4V | 5V | 6V | 7V | 8V | 9V | 10V |
VR1 (V) | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0,28 | 1,26 | 2,25 | 3,24 |
VR (V) | 0,33 | 0,6 | 1 | 2,05 | 3,04 | 4,06 | 5,06 | 6 | 6,72 | 6,74 | 6,75 | 6,76 |
IR1(mA) | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,280 | 1,260 | 2,250 | 3,240 |
IR(mA) | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,000 | 0,280 | 1,260 | 2,250 | 3,240 |
2)Com resistor de 255Ω
VF | 0,3V | 0,6V | 1V | 2V | 3V | 4V | 5V | 6V | 7V | 8V | 9V | 10V |
VR1 (V) | 0,3 | 0,6 | 0,9 | 1,7 | 2,6 | 3,4 | 4,2 | 5 | 5,9 | 6,7 | 7,5 | 8,3 |
VR (V) | 0 | 0 | 0,1 | 0,3 | 0,4 | 0,6 | 0,8 | 1 | 1,1 | 1,3 | 1,5 | 1,7 |
IR1(mA) | 0,300 | 0,600 | 0,900 | 1,700 | 2,600 | 3,400 | 4,200 | 5,000 | 5,900 | 6,700 | 7,500 | 8,300 |
IR(mA) | 0,000 | 0,000 | 0,444 | 1,333 | 1,778 | 2,667 | 3,556 | 4,444 | 4,889 | 5,778 | 6,667 | 7,556 |
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