CURSO SUPERIOR EM SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO RENAN DE SOUZA SANTOS

        

FATEC OURINHOS

CURSO SUPERIOR EM SEGURANÇA DA INFORMAÇÃO

RENAN DE SOUZA SANTOS

MEMÓRIAS RAM DDR

OURINHOS-SP

2018

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SUMÁRIO

1.        INTRODUÇÃO        3

2.        TIPOS        4

2.1        DRAM        5

2.2        DDR        6

2.3        DDR2        7

2.4        DDR3        8

2.5        DDR4        9

3        CONSIDERAÇÕES FINAIS        10

4        REFERÊNCIAS        10

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1. INTRODUÇÃO

A memória RAM é um componente essencial, não apenas nos computadores, mas também em equipamentos como smartphones ou tablets. Este artigo dá a conhecer, de forma abrangente, a evolução das memórias RAM, num tema que pode ser bastante complexo quando aprofundado. A ideia passa por, de alguma forma, tratar as diferentes classes desenvolvidas até à data atual, desde as SDR às DDR4, com uma pequena perspectiva sobre o futuro, as DDR5. RAM (Random Acess Memory) ou memória volátil, é um componente eletrônico que armazena dados de forma temporária, durante a execução do sistema operativo, para que possam ser rapidamente acedidos pelo processador. Esta é considerada a memória principal do sistema e, além disso, as velocidades de leitura e escrita são superiores em relação a outro tipo de armazenamento.

Ao contrário da memória não-volátil, como é o caso de um disco rígido, que preserva a informação gravada sem necessidade de alimentação constante, a memória volátil apenas permite armazenar dados enquanto estiver alimentada eletricamente. Assim, cada vez que o computador for desligado, todos os dados presentes na memória serão apagados definitivamente. A memória RAM começou por ser assíncrona, ou seja, operava ao seu próprio ritmo, independentemente dos ciclos de relógio (clock) da motherboard, logo, não existia sintonia com o processador. Explicando, e de forma bastante simples, o clock nada mais é a frequência com que o processador executa as tarefas. Quanto maior a frequência, menor será o tempo de execução e, portanto, mais rápidas serão executadas as tarefas. Assim, percebe-se que este era um problema: os processadores eram cada vez mais poderosos e a RAM não estava desenvolvida para assegurar o pedido de dados vindos do processador.

1. TIPOS  

No início dos anos noventa, com a chegada do processador 386 com clock velocidades acima de 20MHz, os problemas causados pela lentidão da memória começaram a ser sentidos. A solução utilizada pela indústria na época, foi a mesma dada para os supercomputadores dos anos sessenta. Uma memória cache foi introduzida entre o microprocessador e a memória, formada por um pequena quantidade de memória mais rápida e cara (SRAM) e usada para ace lerar  a grande quantidade de memória mais lenta e barata (DRAM).Temos tambem as DDR SDRAM (Dual Data Rate), e por fim, suas evoluções, que serão abordadas individualmente. Uma unidade de memória é designada como memória de acesso aleatório (RAM) se A informação pode ser acessada em um período de tempo fixo que é independente do endereço de localização. As localizações ou células de memória são organizadas em uma forma de matriz, na qual cada célula é capaz de armazenar um bit de informação. Uma célula de memória pode ser construída com vários transistores ou somente com um único par de capacitores de transistor. No primeiro caso, as células mantêm seu estado enquanto a energia é aplicada e essa é a razão pela qual elas são chamadas de RAM Estática (SRAM). No segundo caso, as células não mantêm seu estado indefinidamente, devido ao vazamento do capacitor, e precisam ser atualizados periodicamente para retenção de informações, o que leva a um comportamento dinâmico e ao nome Dynamic RAM (DRAM).As diferenças de construção são cruciais para os fatores preço, velocidade e dimensão das referidas memórias. Na verdade, a desvantagem do comportamento dinâmico é que o processador não pode ler a memória quando ela está sendo atualizada, às vezes forçando uma paralisação de sua operação enquanto os capacitores DRAM recarregam. No entanto DRAM tem várias vezes a capacidade da SRAM e é mais barato. Estas são as razões subjacentes pelas quais as DRAMs são amplamente usadas nas unidades de memória dos computadores. O número de pinos de I / O no pacote das DRAMs originais dominando o custo de fabricação. Para manter o preço dos chips de memória o mais baixo possível, a linha e a coluna.Em vez disso, os modelos d-dresses são multiplexados sequencialmente no barramento de endereços de chip, o que é uma desvantagem potencial de seu desempenho. Subsequentemente, as seções examinam a evolução da DRAM considerando os tipos mais importantes de DRAMs.

1. DRAM

O mecanismo de endereçamento das primeiras arquiteturas de DRAM ainda é utilizado, com pequenas alterações, em muitas das DRAMs atualmente produzidas. Nesta interface, o barramento de endereços é multiplexado entre os componentes de linha e coluna. O barramento de endereço multiplexado usa dois sinais de controle, os sinais estroboscópicos de endereço de linha e coluna, RAS e CAS, respectivamente, que fazem com que a DRAM trave os componentes do endereço. O endereço da linha faz com que uma linha completa no matriz de memória para se propagar no Memory Data Register (MDR). O endereço da coluna então seleciona o subconjunto de dados apropriado dentro do MDR e envia isto para o barramento de dados

1. DDR

       A primeira geração de memórias DDR, lançada no ano de 2002, possui maior largura de banda do que a anterior SDR. Efetivamente, isso acontece porque a taxa de transferência é dobrada, sem necessidade de aumentar o clock de memória. Com o seu aparecimento, houve um aumento significativo no desempenho sobre a arquitetura tradicional. Era utilizada principalmente em Pentium 4 e arquiteturas AMD Athlon.

Nota: Por questões de marketing, todas as gerações de memórias DDR são promovidas como sendo duas vezes superior ao valor original. Exemplificando, DDR-200, DDR-266, DDR-333 e DDR-400 são assim catalogadas, no entanto, os buffers de E/S (Entrada e Saída) do modulo de memória operam a 100MHz, 133MHz, 166MHz e 200MHz respetivamente, como pode ser visto abaixo.

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